[發明專利]一種適用于柔性光電器件的柔性透明電極、電池及制備方法有效
| 申請號: | 202011481996.4 | 申請日: | 2020-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN112531119B | 公開(公告)日: | 2022-08-30 |
| 發明(設計)人: | 王百月;趙志國;秦校軍;趙東明;肖平;董超;熊繼光;劉家梁;劉娜 | 申請(專利權)人: | 中國華能集團清潔能源技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/44 | 分類號: | H01L51/44;H01L51/48;H01L51/00 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人: | 張海平 |
| 地址: | 102209 北京市昌平區北七*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 適用于 柔性 光電 器件 透明 電極 電池 制備 方法 | ||
1.一種適用于柔性光電器件的柔性透明電極,其特征在于,包括第一石墨烯層(1021)、第二石墨烯層(1023)以及設置在第一石墨烯層(1021)和第二石墨烯層(1023)之間的MXene層(1022);所述第一石墨烯層(1021)和第二石墨烯層(1023)為單層石墨烯,所述MXene層(1022)通過旋涂MXene溶液并熱板加熱得到;
所述單層石墨烯通過CVD方法制備,所述熱板加熱溫度為100℃,時間為1小時;
所述MXene層(1022)厚度為5-8nm。
2.一種權利要求1所述的適用于柔性光電器件的柔性透明電極的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1:制備單層石墨烯作為第一石墨烯層(1021);
步驟2:在第一石墨烯層(1021)上旋涂MXene溶液并熱板加熱,得到MXene層(1022);
步驟3:在MXene層(1022)上制備單層石墨烯作為第二石墨烯層(1023),然后經過層壓即得到柔性透明電極。
3.根據權利要求2所述的一種適用于柔性光電器件的柔性透明電極的制備方法,其特征在于,步驟1和步驟3中均采用CVD方法制備單層石墨烯,步驟2中熱板加熱溫度為100℃,時間為1小時,層壓條件為:室溫、0.5Gpa和20min。
4.根據權利要求2所述的一種適用于柔性光電器件的柔性透明電極的制備方法,其特征在于,所述MXene層(1022)厚度為5-8nm。
5.一種柔性鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于,包括從下至上依次設置的柔性基底(101)、柔性透明電極(102)、第一電荷傳輸層(103)、光活性層(104)、第二電荷傳輸層(105)以及金屬背電極(106);所述柔性透明電極(102)包括第一石墨烯層(1021)、第二石墨烯層(1023)以及設置在第一石墨烯層(1021)和第二石墨烯層(1023)之間的MXene層(1022);所述第一石墨烯層(1021)和第二石墨烯層(1023)為單層石墨烯,所述MXene層(1022)通過旋涂MXene溶液并熱板加熱得到;
所述單層石墨烯通過CVD方法制備,所述熱板加熱溫度為100℃,時間為1小時;
所述MXene層(1022)厚度為5-8nm。
6.一種權利要求5所述的柔性鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1:取PET基底,將基底表面依次分別使用去離子水、丙酮和異丙醇超聲處理,氮氣流吹干,得到柔性基底(101);
步驟2:在柔性基底(101)上采用CVD方法制備單層石墨烯,形成第一石墨烯層(1021),然后在第一石墨烯層(1021)上旋涂MXene溶液,并熱板加熱,形成MXene層(1022),在MXene層(1022)上采用CVD方法制備單層石墨烯,形成第二石墨烯層(1023),所述第一石墨烯層(1021)、MXene層(1022)和第二石墨烯層(1023)經過層壓即得到柔性透明電極(102);
步驟3:在柔性透明電極(102)上旋涂NiOx墨汁,熱板加熱,作為第一電荷傳輸層(103);
步驟4:在第一電荷傳輸層(103)上制備光活性層(104),所述光活性層(104)采用有機-無機雜化金屬鹵鈣鈦礦材料;
步驟5:采用蒸鍍方式在光活性層(104)上制備C60/BCP作為第二電荷傳輸層(105);
步驟6:采用蒸鍍方式在第二電荷傳輸層(105)上制備Ag層作為金屬背電極(106)。
7.根據權利要求6所述的一種柔性鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于,步驟2中熱板加熱溫度為100℃,時間為1小時;步驟3中熱板加熱溫度為100℃,時間為1h,層壓條件為:室溫、0.5Gpa和20min。
8.根據權利要求6所述的一種柔性鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于,步驟2中MXene層(1022)厚度為5-8nm;步驟3中第一電荷傳輸層(103)厚度為35nm,步驟4中光活性層(104)厚度為700-800nm,步驟5中C60厚度為45nm,BCP厚度為8nm,步驟6中金屬背電極(106)厚度為80-100nm。
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