[發明專利]基于共振吸聲的多層嵌套式低頻寬帶吸聲裝置有效
| 申請號: | 202011480540.6 | 申請日: | 2020-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN112509545B | 公開(公告)日: | 2022-07-12 |
| 發明(設計)人: | 朱俊喆;瞿葉高;孟光 | 申請(專利權)人: | 上海交通大學 |
| 主分類號: | G10K11/172 | 分類號: | G10K11/172 |
| 代理公司: | 上海交達專利事務所 31201 | 代理人: | 王毓理;王錫麟 |
| 地址: | 200240 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 共振 吸聲 多層 嵌套 低頻 寬帶 裝置 | ||
一種基于共振吸聲的多層嵌套式低頻寬帶吸聲裝置,包括:若干個依次嵌套的諧振器單元,每個諧振器單元包括:底板、殼體、隔板和頸部短管,其中:隔板和底板分別設置于殼體兩端,頸部短管貫穿設置于隔板的中心位置,通過不同級諧振器單元之間的相互耦合實現多階共振,進而拓寬吸收頻帶。本發明基于多階共振原理拓寬吸收頻帶,提高了吸聲系數和吸收峰值頻率的可調性。與現有結構相比,本發明體積小、質量輕,在低頻范圍內具有寬帶的吸聲性能,具有良好的應用前景和工業價值。
技術領域
本發明涉及的是一種噪聲處理領域的技術,具體是一種基于共振吸聲的多層嵌套式低頻寬帶吸聲裝置。
背景技術
現有的多孔吸聲材料大多采用三聚氰胺、石棉,但這些材料對低頻段的噪聲的吸聲效果很差。由小孔和空腔構成的亥姆霍茲諧振器,在其共振頻率附近,小孔周圍空氣振動幅度最大,由于粘滯效應使得聲能耗散達到最大,因此亥姆霍茲諧振器在其共振頻率附近產生了良好的吸聲效果,但由于吸收頻帶較窄而限制了使用范圍。上世紀七十年代,馬大猷院士提出的微穿孔共振吸聲結構,在其共振頻率附近產生了寬帶吸聲現象,但對于低頻吸聲,需要縮小微孔直徑、增大背腔體積,導致生產成本的提高、結構體積變大,不利于批量生產。
聲學超材料的發展為低頻吸聲結構的設計提供了新的方向。聲學超材料結構單元尺寸遠小于波長,通過周期性/非周期性的幾何結構,對低頻范圍的噪聲進行吸收。但由于大部分聲學超材料具有多組結構單元,利用多階共振原理拓寬吸聲頻帶,因此單元與單元之間往往會產生復雜的耦合效應,造成吸聲效率的損失。所以,工程上仍急需一種對低頻的噪聲具有寬帶吸聲效果,并且結構簡單、體積小、質量輕、成本低、便于批量生產的產品。
發明內容
本發明針對現有技術難以在低頻范圍內寬帶吸聲、低頻吸聲結構體積大、吸收效果差、吸收頻帶窄的缺陷,提出一種基于共振吸聲的多層嵌套式低頻寬帶吸聲裝置,基于多階共振原理拓寬吸收頻帶,提高了吸聲系數和吸收峰值頻率的可調性。與現有結構相比,本發明體積小、質量輕,在低頻范圍內具有寬帶的吸聲性能,具有良好的應用前景和工業價值。
本發明是通過以下技術方案實現的:
本發明涉及一種基于共振吸聲的多層嵌套式低頻寬帶吸聲裝置,包括:若干個依次嵌套的諧振器單元,每個諧振器單元包括:底板、殼體、隔板和頸部短管,其中:隔板和底板分別設置于殼體兩端,頸部短管貫穿設置于隔板的中心位置,通過不同級諧振器單元之間的相互耦合實現多階共振,進而拓寬吸收頻帶。
所述的多層嵌套式低頻寬帶吸聲裝置優選為中心對稱結構。
所述的諧振器單元的個數可根據吸收的目標頻段設計并增加。
每個諧振器單元的殼體的外徑和高度依次增大,以達到相互嵌套的目的。
所述的多層嵌套式低頻寬帶吸聲裝置中,單個單元的吸收峰值頻率為:其中:S表示頸部短管橫截面積,V表示殼體空腔體積,l表示頸部短管修正長度。
所述的底板的形狀采用但不限于圓形、方形或其他幾何形狀。
所述的殼體的截面形狀采用但不限于圓形、方形或其他幾何形狀,殼體的底面截面形狀與底板的形狀相匹配。
所述的頸部短管管口形狀采用但不限于圓形、方形、橢圓形或其他幾何形狀。
所述的每個諧振器單元的頸部短管之間互不接觸,各個頸部短管的橫截面積由內向外逐級增大,所有頸部短管的中心位于同一直線上。
所述的相互耦合是指:相鄰兩個諧振器單元的頸部短管在高度上相互重疊,即一部分位于隔板下方的殼體內部、一部分位于隔板上方的殼體外部,從而充分利用空間、達到互相耦合的目的。
技術效果
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