[發明專利]三維存儲器的制備方法

在審

• 申請號: 202011480067.1
• 申請日: 2020-12-15
• 公開（公告）號: CN112635485A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 王二偉;杜明利;李君
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強

1.一種三維存儲器的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供初始三維存儲器，所述初始三維存儲器包括襯底、覆蓋所述襯底的堆棧結構、以及貫穿所述堆棧結構的NAND串，所述NAND串背離所述襯底的一側具有凹槽；

形成填充所述凹槽的第一插塞層、以及覆蓋所述堆棧結構的第二插塞層，所述第一插塞層連接所述第二插塞層；

形成覆蓋所述第二插塞層的第一保護層；

去除部分所述第一保護層與部分所述堆棧結構以形成臺階結構；以及

去除所述第一保護層。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，“形成填充所述凹槽的第一插塞層、以及覆蓋所述堆棧結構的第二插塞層”包括：

采用同一道工藝形成填充所述凹槽的第一插塞層、以及覆蓋所述堆棧結構的第二插塞層，所述第一插塞層與所述第二插塞層為一體式結構。

3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述“形成覆蓋所述第二插塞層的第一保護層”之前，保留所述第二插塞層。

4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一保護層的材質包括氧化鋁，所述第一插塞層與所述第二插塞層的材質包括多晶硅。

5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，“去除部分所述第一保護層與部分所述堆棧結構以形成臺階結構”包括：

去除部分所述堆棧結構、部分所述第二插塞層、以及部分所述第一保護層，以使所述堆棧結構形成相連接的臺階部與存儲部，所述NAND串貫穿所述存儲部；

形成覆蓋所述襯底、所述臺階部、以及所述第一保護層的平坦部；以及

去除位于所述第一保護層背離所述襯底一側的所述平坦部，以露出所述第一保護層。

6.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，“去除位于所述第一保護層背離所述襯底一側的所述平坦部”包括：

采用蝕刻法去除位于所述第一保護層背離所述襯底一側的部分所述平坦部；

采用化學機械拋光去除位于所述第一保護層背離所述襯底一側的剩余的所述平坦部。

7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在“去除所述第一保護層”之后，還包括：

去除所述第二插塞層；

形成覆蓋所述堆棧結構的第二保護層。

8.如權利要求7所述的制備方法，其特征在于，在“去除所述第二插塞層”之后，還包括：

對所述第一插塞層進行離子注入。

9.如權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述堆棧結構包括多個堆疊對，每個所述堆疊對包括層疊設置的絕緣層與替換層，在“形成覆蓋所述堆棧結構的第二保護層”之后，還包括：

形成貫穿所述第二保護層與所述臺階結構的柵縫隙；

去除所述替換層，并形成替換槽；以及

形成位于所述替換槽內的柵極層。

10.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述NAND串包括存儲層、溝道層、以及填充層、所述溝道層設于所述填充層的外周緣，所述存儲層設于所述溝道層的外周緣。