[發(fā)明專(zhuān)利]用于隔離電容器的頂帽結(jié)構(gòu)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011479892.X | 申請(qǐng)日： | 2020-12-15 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN113054104A | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-06-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 托馬斯·C·福勒;杰羅姆·T·文斯克;阿薩努爾·伊斯蘭;丹·B·卡沙 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 硅谷實(shí)驗(yàn)室公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L49/02 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L49/02;H01L27/08 |
| 代理公司： | 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 畢楊 |
| 地址： | 美國(guó)德*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 隔離 電容器 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種集成電路，包括：
第一導(dǎo)電板，所述第一導(dǎo)電板位于襯底上；
第二導(dǎo)電板，所述第二導(dǎo)電板位于所述第一導(dǎo)電板上方；
第一電介質(zhì)層，所述第一電介質(zhì)層位于所述第一導(dǎo)電板和所述第二導(dǎo)電板之間；
第三導(dǎo)電板，所述第三導(dǎo)電板位于所述第二導(dǎo)電板上方；
第二電介質(zhì)層，所述第二電介質(zhì)層位于所述第二導(dǎo)電板和所述第三導(dǎo)電板之間；以及
其中，所述第三導(dǎo)電板的面積小于所述第二導(dǎo)電板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述第三導(dǎo)電板具有從所述第二導(dǎo)電板的第二周邊凹陷的第一周邊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述第三導(dǎo)電板從所述第一導(dǎo)電板水平地移位，使得所述第一導(dǎo)電板在所述第三導(dǎo)電板的周邊外部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的集成電路，其中，
所述第一電介質(zhì)層的厚度在5微米至25微米之間的范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的集成電路，還包括：
接合線，所述接合線電聯(lián)接到所述第三導(dǎo)電板；以及
其中，所述第三導(dǎo)電板的尺寸設(shè)計(jì)成支撐所述接合線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的集成電路，還包括：
多個(gè)通路，所述多個(gè)通路形成在所述第三導(dǎo)電板和所述第二導(dǎo)電板之間以使所述第三導(dǎo)電板與所述第二導(dǎo)電板電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的集成電路，其中，位于所述第二導(dǎo)電板和所述第三導(dǎo)電板之間的所述第二電介質(zhì)層具有在大約0.5微米至2.0微米之間的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的集成電路，其中，所述第二電介質(zhì)層由SiO2、SiN、富硅氧化物、或SiON所形成。
9.一種制造隔離電容器的方法，包括：
在襯底上形成第一導(dǎo)電板；
在所述第一導(dǎo)電板上形成第一電介質(zhì)層；
在所述第一電介質(zhì)層上形成第二導(dǎo)電板；
在所述第二導(dǎo)電板上形成第二電介質(zhì)層；以及
在所述第二電介質(zhì)層上形成第三導(dǎo)電板，所述第三導(dǎo)電板小于所述第二導(dǎo)電板。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括將所述第三導(dǎo)電板形成為使得所述第三導(dǎo)電板的第一周邊從所述第二導(dǎo)電板的第二周邊凹陷。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括將所述第一電介質(zhì)層形成為具有5微米至25微米之間的厚度。
12.根據(jù)權(quán)利要求9至11中的任一項(xiàng)所述的方法，還包括：
形成電聯(lián)接至所述第三導(dǎo)電板的接合線；以及
其中，所述第三導(dǎo)電板的尺寸設(shè)計(jì)成在頂部平面尺寸方面至少與所述接合線一樣大。
13.根據(jù)權(quán)利要求9至11中的任一項(xiàng)所述的方法，還包括：
形成連接所述第二導(dǎo)電板和所述第三導(dǎo)電板的多個(gè)通路。
14.根據(jù)權(quán)利要求9至11中的任一項(xiàng)所述的方法，還包括將位于所述第二導(dǎo)電板和所述第三導(dǎo)電板之間的所述第二電介質(zhì)層形成為具有大約0.5微米至2.0微米之間的厚度。
15.根據(jù)權(quán)利要求9至11中的任一項(xiàng)所述的方法，還包括由SiO2、SiN、富硅氧化物、或SiON形成所述第二電介質(zhì)層。
16.根據(jù)權(quán)利要求9至11中的任一項(xiàng)所述的方法，還包括在所述第三導(dǎo)電板上形成鈍化層。
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