[發(fā)明專利]一種鋁加鉻薄膜及其制備方法和應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011476730.0
• 申請日: 2020-12-15
• 公開（公告）號: CN112626453B
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳翻;秦鍵;沙昭;王峰;王永杰;劉平
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢正源高理光學(xué)有限公司
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/35
• 代理公司: 北京高沃律師事務(wù)所 11569
• 代理人: 王術(shù)娜

1.一種鋁加鉻薄膜，包括在基底單側(cè)表面上依次層疊的Al₂O₃膜、Al膜和CrON膜；所述Al₂O₃膜與基底接觸；

所述CrON膜中Cr、O和N的原子個數(shù)比為6:1:(2～3)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁加鉻薄膜，其特征在于，所述Al₂O₃膜的厚度為所述Al膜的厚度為所述CrON膜的厚度為

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鋁加鉻薄膜，其特征在于，所述Al₂O₃膜的厚度為所述Al膜的厚度為所述CrON膜的厚度為

4.權(quán)利要求1～3任一項所述鋁加鉻薄膜的制備方法，包括以下步驟：采用磁控濺射依次在基底表面沉積Al₂O₃膜、Al膜和CrON膜，得到鋁加鉻膜；

所述磁控濺射沉積CrON膜時，陰極靶材為Cr靶材；所述磁控濺射沉積CrON膜在Ar-N₂-CO₂混合氣體中進行；所述Ar、N₂和CO₂的氣體流量比為11:(2～4):1。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射沉積CrON膜時，所述N₂的氣體流量為15～20sccm。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射沉積Al₂O₃膜時，陰極靶材為Al靶材；磁控濺射功率為2500～3500W；基底的運行速度為850～950mm/min。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射沉積Al₂O₃膜在Ar-N₂-CO₂混合氣體中進行；所述Ar、N₂和CO₂的氣體流量比為1:1:(3～4)；所述Ar的氣體流量為25～35sccm。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射沉積Al膜時，陰極靶材為Al靶材；磁控濺射功率為1000～2000W；基底的運行速度為200～400mm/min。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射沉積Al膜在Ar氣氛中進行；所述Ar的氣體流量為40～80sccm。

10.一種光學(xué)元件，包括基底和附著在所述基底單側(cè)表面的鋁加鉻薄膜，所述鋁加鉻薄膜為權(quán)利要求1～3任一項所述的鋁加鉻薄膜或權(quán)利要求4～9任一項所述制備方法制備得到的鋁加鉻薄膜。