[發(fā)明專(zhuān)利]存儲(chǔ)單元的故障定位分析方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)和終端

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011475437.2
• 申請(qǐng)日: 2020-12-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112233718B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘雷;賴巍;唐維強(qiáng);周幸福
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市芯天下技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C29/12
• 分類(lèi)號(hào): G11C29/12
• 代理公司: 佛山市海融科創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44377
• 代理人: 陳志超;唐敏珊

本發(fā)明公開(kāi)了一種存儲(chǔ)單元的故障定位分析方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)和終端，通過(guò)使用Magnum II測(cè)試系統(tǒng)的錯(cuò)誤捕獲內(nèi)存和算法生成器代替?zhèn)鹘y(tǒng)的燒錄器和chroma測(cè)試機(jī)，用錯(cuò)誤捕獲內(nèi)存記錄失效地址的行和列，然后用算法生成器產(chǎn)生pattern去做分析；本技術(shù)方案不但能定位失效的存儲(chǔ)單元，還能對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行故障原因分析；可通過(guò)算法生成器自動(dòng)產(chǎn)生pattern做分析，通用性好。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及非易失存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及的是一種存儲(chǔ)單元的故障定位分析方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)和終端。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)和工藝的發(fā)展，Nor flash 的容量也越做越大；以128M為例,128M=128*1024*1024個(gè)Bit，如果其中一個(gè)Bit出錯(cuò)，雖然相對(duì)于128*1024*1024來(lái)說(shuō)，單個(gè)Bit比例很小，但是這顆芯片還是要報(bào)廢，所以對(duì)于失效Bit的定位和分析就非常重要了。

傳統(tǒng)的做法是：

1.用燒錄器讀寫(xiě)數(shù)據(jù)，然后定位失效Bit地址；

2.根據(jù)失效地址修改chroma（自動(dòng)測(cè)試設(shè)備）測(cè)試pattern（即需要測(cè)試芯片的時(shí)序特征）；

3.在測(cè)試儀器上確認(rèn)失效地址讀寫(xiě)時(shí)間是否有異常，失效bit VT（閾值電壓）等信息。

上述這種做法的不足如下：

1.燒錄器只能定位失效bit,不能做進(jìn)一步的分析；

2.由于每顆芯片失效Bit是隨機(jī)的，chroma每次分析都需要修改pattern，通用性差。

因此，現(xiàn)有的技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種存儲(chǔ)單元的故障定位分析方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)和終端，旨在解決現(xiàn)有的存儲(chǔ)單元故障定位方法只能定位失效存儲(chǔ)單元，不能對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行分析，以及通用性差的問(wèn)題。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：一種存儲(chǔ)單元的故障定位分析方法，其中，整個(gè)過(guò)程在Magnum II測(cè)試系統(tǒng)里面完成，具體包括以下步驟：

在算法生成器里面構(gòu)建一個(gè)與Nor flash的存儲(chǔ)單元一致的第一模型，所述第一模型包括X地址和Y地址；

在錯(cuò)誤捕獲內(nèi)存里面構(gòu)建一個(gè)與Nor flash的存儲(chǔ)單元一致的第二模型，所述第二模型包括行地址和列地址，所述第一模型的X地址和Y地址分別與第二模型行地址和列地址一一對(duì)應(yīng)，而第二模型行地址和列地址分別與Nor flash的字線和位線一一對(duì)應(yīng)；

生成存儲(chǔ)單元陣列的多種的故障模型激勵(lì)；

將故障模型激勵(lì)逐一發(fā)送至第二模型和參考模型；

將第二模型根據(jù)故障模型激勵(lì)作出的操作結(jié)果與參考模型根據(jù)故障模型激勵(lì)作出的期望進(jìn)行比對(duì)，若作出的操作結(jié)果符合期望，則結(jié)束故障定位分析，

若作出的操作結(jié)果不符合期望，則通過(guò)第二模型內(nèi)存儲(chǔ)單元與Nor flash的存儲(chǔ)單元的地址對(duì)應(yīng)關(guān)系，找到Nor flash中出現(xiàn)故障的存儲(chǔ)單元的地址并進(jìn)行記錄；通過(guò)第二模型內(nèi)存儲(chǔ)單元與第一模型內(nèi)存儲(chǔ)單元的對(duì)應(yīng)關(guān)系，找到第一模型內(nèi)出現(xiàn)故障的存儲(chǔ)單元的地址并進(jìn)行故障原因分析，然后結(jié)束故障定位分析。

所述的存儲(chǔ)單元的故障定位分析方法，其中，所述故障模型激勵(lì)包括需要寫(xiě)入數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元地址、需要寫(xiě)入的數(shù)據(jù)以及需要的時(shí)鐘波形。

所述的存儲(chǔ)單元的故障定位分析方法，其中，所述故障原因分析包括對(duì)存儲(chǔ)單元的閾值電壓的分析。

所述的存儲(chǔ)單元的故障定位分析方法，其中，所述第二模型根據(jù)故障模型激勵(lì)作出的操作結(jié)果，具體過(guò)程如下：