[發(fā)明專(zhuān)利]一種探測(cè)設(shè)備以及輻射方位測(cè)量方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011475129.X | 申請(qǐng)日: | 2020-12-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113009548A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-06-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 彭旗宇;解強(qiáng)強(qiáng);張熙;顧崢;郭騰飛;謝思維;張義彬;許劍鋒 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 深圳灣實(shí)驗(yàn)室 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01T1/202 | 分類(lèi)號(hào): | G01T1/202;G01T1/29 |
| 代理公司: | 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414 | 代理人: | 周偉鋒 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市光明區(qū)玉塘街道田寮*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 探測(cè) 設(shè)備 以及 輻射 方位 測(cè)量方法 | ||
1.一種探測(cè)設(shè)備,用于對(duì)待檢測(cè)的放射源進(jìn)行檢測(cè),其特征在于:所述探測(cè)設(shè)備包括:
閃爍晶體,所述閃爍晶體為柱狀結(jié)構(gòu),并用于攔截所述放射源產(chǎn)生的伽馬光子并產(chǎn)生光信號(hào);以及
光電探測(cè)器陣列,設(shè)置于所述閃爍晶體上,并用于接收光信號(hào)。
2.如權(quán)利要求1所述的探測(cè)設(shè)備,其特征在于:所述閃爍晶體沿其軸向開(kāi)設(shè)有通孔,所述閃爍晶體具有內(nèi)壁面、外壁面、第一端面以及第二端面,所述內(nèi)壁面、所述外壁面、所述第一端面和所述第二端面中的至少一個(gè)面上設(shè)置有所述光電探測(cè)器陣列。
3.如權(quán)利要求2所述的探測(cè)設(shè)備,其特征在于:所述光電探測(cè)器陣列設(shè)置于所述第一端面和所述第二端面上。
4.如權(quán)利要求3所述的探測(cè)設(shè)備,其特征在于:所述光電探測(cè)器陣列呈環(huán)狀,所述光電探測(cè)器陣列包括:
多個(gè)光電探測(cè)器單元,多個(gè)所述光電探測(cè)單元繞所述閃爍晶體的軸線沿周向均勻分布。
5.如權(quán)利要求2所述的探測(cè)設(shè)備,其特征在于:所述探測(cè)設(shè)備還包括:
屏蔽芯,設(shè)置于所述通孔內(nèi),用于攔截所述放射源產(chǎn)生的伽馬光子。
6.如權(quán)利要求5所述的探測(cè)設(shè)備,其特征在于:所述屏蔽芯為防輻射材料件。
7.如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的探測(cè)設(shè)備,其特征在于:所述探測(cè)設(shè)備還包括:
電路板,設(shè)于所述光電探測(cè)器陣列上,且與所述光電探測(cè)器陣列電連接。
8.如權(quán)利要求7所述的探測(cè)設(shè)備,其特征在于:所述探測(cè)設(shè)備還包括:
引出排線,與所述電路板電連接。
9.一種輻射方位測(cè)量方法,其特征在于:基于權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的探測(cè)設(shè)備進(jìn)行,當(dāng)所述閃爍晶體的兩個(gè)端面上均設(shè)有所述光電探測(cè)器陣列,且各所述光電探測(cè)器陣列包括m個(gè)光電探測(cè)器單元,m個(gè)光電探測(cè)器單元沿周向均勻分布時(shí),所述輻射方位測(cè)量方法包括以下步驟:
S10:將m個(gè)光電探測(cè)器單元的采集時(shí)長(zhǎng)設(shè)定為n s;
S20:在所述閃爍晶體的端面的圓周方向建立坐標(biāo)系,不考慮是否為同一個(gè)事件,并得到每個(gè)光電探測(cè)器單元的采集光子能量之和Eu1,Eu2,Eu3,…,Eum以及Ed1,Ed2,Ed3,…,Edm,繪制能量累計(jì)的分布圖,通過(guò)求取該分布直方圖的重心可獲取放射源所在的圓周方向的方位。
10.一種輻射方位測(cè)量方法,其特征在于:基于權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的探測(cè)設(shè)備進(jìn)行,當(dāng)所述閃爍晶體的兩個(gè)端面上均設(shè)有所述光電探測(cè)器陣列,且各所述光電探測(cè)器陣列包括m個(gè)光電探測(cè)器單元,m個(gè)光電探測(cè)器單元沿周向均勻分布時(shí),所述輻射方位測(cè)量方法包括以下步驟:
S10:將m個(gè)光電探測(cè)器單元的采集時(shí)長(zhǎng)設(shè)定為n s;
S20:在所述閃爍晶體的端面的圓周方向建立坐標(biāo)系,利用正電子斷層掃描的伽馬光子定位方法,在經(jīng)過(guò)一定的能量窗、能量閾值過(guò)濾無(wú)效事件之后,對(duì)于每個(gè)單光子事件,讀取其對(duì)應(yīng)所有通道的光電探測(cè)器單元的能量值eu1,eu2,eu3,…,eum以及ed1,ed2,ed3,…,edm,利用重心法計(jì)算單光子在圓周方向上的入射位置θ;
S30:計(jì)算所有光子事件的入射位置θ,然后通過(guò)直方圖等統(tǒng)計(jì)規(guī)律計(jì)算其入射位置的分布重心,從而得到放射源的圓周方向的入射方位。
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