[發明專利]一種雙元共蒸的FA基鈣鈦礦薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 202011475107.3
• 申請日: 2020-12-15
• 公開（公告）號: CN112593190B
• 公開（公告）日: 2022-11-01
• 發明（設計）人: 劉家梁;趙志國;秦校軍;肖平;趙東明;鄔俊波;董超;熊繼光;王百月;馮笑丹;梁思超;王森;張杰
• 申請（專利權）人: 華能新能源股份有限公司;中國華能集團清潔能源技術研究院有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/06;H01L51/48
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 賀小停

1.一種雙元共蒸的FA基太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1，在導電電極基底上制備空穴傳輸層；

步驟2，在空穴傳輸層上利用氣相雙元共蒸法制備鈣鈦礦吸光層；

步驟3，在鈣鈦礦吸光層上制備電子傳輸層；

步驟4，在電子傳輸層上制備金屬對電極層，得到基于雙元共蒸的FA基鈣鈦礦薄膜；

步驟2中，在空穴傳輸層上利用氣相雙元共蒸法制備鈣鈦礦吸光層，所述鈣鈦礦吸光層的結構為Cs_xFA_1-xPbI₃，具體方法是：

通過雙元蒸鍍法在空穴傳輸層上制備鉛膜；

在30-150℃的溫度下，在得到的鉛膜上，分別以FAI及I₂為蒸發源，制備得到鈣鈦礦薄膜，其中，FAI及I₂的摩爾比1:2-2:1；鈣鈦礦吸光層厚度為300-600nm；

通過雙元蒸鍍法在空穴傳輸層上制備鉛膜的工藝參數是：

Pb與CsI摩爾比為7:3-9:1；得到的鉛膜厚度為10-200nm。

2.根據權利要求1所述的一種雙元共蒸的FA基太陽能電池的制備方法，其特征在于，步驟1中，利用刮刀涂布法在導電電極基底上制備空穴傳輸層。

3.根據權利要求1所述的一種雙元共蒸的FA基太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述Pb與CsI摩爾比為8:2；所述鉛膜的厚度為60nm。

4.根據權利要求1所述的一種雙元共蒸的FA基太陽能電池的制備方法，其特征在于，制備鈣鈦礦薄膜的溫度為120℃；制備鈣鈦礦薄膜時，FAI及I₂的摩爾比1:1.2。

5.根據權利要求1所述的一種雙元共蒸的FA基太陽能電池的制備方法，其特征在于，步驟3中，利用熱蒸發法在鈣鈦礦吸光層上制備電子傳輸層。

6.根據權利要求1所述的一種雙元共蒸的FA基太陽能電池的制備方法，其特征在于，步驟4中，利用蒸鍍法在電子傳輸層上制備金屬對電極層。