[發明專利]半導體器件及其制備方法

有效

• 申請號: 202011474913.9
• 申請日: 2020-12-14
• 公開（公告）號: CN112599528B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 李銀?
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L27/11526;H01L27/11519;H01L27/11565;H01L27/11573;G11C8/10;G11C8/08
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 遠明

本發明提供一種半導體器件及其制備方法。半導體器件包括：第一芯片，形成有包括至少一個陣列區塊的存儲陣列，所述陣列區塊包括多條沿第一橫向延伸的字線與多條沿第二橫向延伸的位線；以及，第二芯片，疊置在所述第一芯片上并與其構成電路連接，且形成有用以通過所述電路連接而控制所述陣列區塊的局部字線譯碼器區塊與局部位線譯碼器區塊；其中，所述局部字線譯碼器區塊與所述局部位線譯碼器區塊二者至少其中之一配置于所述第二芯片中的所述陣列區塊的俯視投影區域內。如此，可以使第一與第二芯片的俯視投影面積相等，縮小平面面積，并可以保持字線譯碼器與位線譯碼器和陣列區塊中的字線與位線之間的連接平整度。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種關于存儲器的半導體器件及其制備方法。

背景技術

NOR型閃存是目前市面上普遍使用的一種存儲器。通常在一顆由存儲芯片所構成的NOR型閃存芯片中，在存儲芯片上通常配置有存儲陣列。且所述存儲陣列外圍會配置有字線譯碼器(X-DEC)與位線譯碼器(或稱“位線復用器”(Y-MUX))，用以進行存儲陣列中的多數存儲單元的定位，供進一步對存儲單元進行讀寫動作。又，存儲陣列通常會拆分成多個陣列區塊，每個陣列區塊包括多條沿第一橫向延伸的字線與多條沿第二橫向延伸的位線。在陣列區塊字線延伸方向的其中一側設置局部字線譯碼器，且在陣列區塊位線延伸方向的其中一端設置局部位線譯碼器，與總位線譯碼器。這些多條位線與多條字線會各自平行地對應于位線譯碼器與字線譯碼器中的各控制輸出端，以保持字線和位線譯碼器與各位線和各字線之間各連接線路的整齊配線布局。

但是，這種一個存儲陣列加上外圍的字線譯碼器與位線譯碼器的布局設計，占據了很大的平面面積。隨著各項應用的小體積要求，這樣的設計已不符時代的要求。因此，有必要研發一種能夠使整體體積更小的NOR型閃存芯片。

發明內容

本發明提供了一種半導體器件及其制備方法，尤其是一種存儲芯片及其制備方法，有效地解決了半導體器件中各器件占據過大平面面積的問題。

為了解決上述問題，本發明提供了一種半導體器件，所述半導體器件包括：

第一芯片，形成有存儲陣列，所述存儲陣列包括有至少一個陣列區塊，所述陣列區塊包括多條沿第一橫向延伸的字線與多條沿第二橫向延伸的位線；以及，

第二芯片，縱向疊置在所述第一芯片上并與所述第一芯片構成電路連接，且形成有用以通過所述電路連接而控制一個所述陣列區塊的局部字線譯碼器與局部位線譯碼器，所述局部字線譯碼器與局部位線譯碼器形成局部字線譯碼器區塊與局部位線譯碼器區塊；

其中，所述局部字線譯碼器區塊與所述局部位線譯碼器區塊二者至少其中之一配置于所述第二芯片中的所述陣列區塊的俯視投影區域內。

進一步優選地，所述陣列區塊的所述俯視投影區域具有在所述第一橫向與所述第二橫向上的第一長度與第一寬度，所述局部位線譯碼器區塊包括二個子局部位線譯碼器區塊，且分別配置于所述俯視投影區域在所述第二橫向上的二邊緣內，且在所述第一橫向上的長度小于或等于所述第一長度。

進一步優選地，所述陣列區塊的所述俯視投影區域具有在所述第一橫向與所述第二橫向上的第一長度與第一寬度，所述局部字線譯碼器區塊配置于所述俯視投影區域在所述第一橫向上的至少其中一邊緣內，且在所述第二橫向上的寬度小于或等于所述第一寬度。

進一步優選地，所述陣列區塊的所述俯視投影區域具有在所述第一橫向與所述第二橫向上的第一長度與第一寬度，所述局部位線譯碼器區塊在所述第一橫向上的長度與所述第一長度相同，且包括二個子局部位線譯碼器區塊，所述二個子局部位線譯碼器區塊分別配置于所述俯視投影區域在所述第二橫向上的二邊緣內，且所述局部字線譯碼器區塊位于所述俯視投影區域內的所述二個子局部位線譯碼器區塊之間，并且與所述二個子局部位線譯碼器區塊在所述第二橫向上的總和寬度小于或等于所述第一寬度。