[發(fā)明專利]一種金屬電極的激光刻線方法及薄膜太陽能電池在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011474879.5 | 申請日: | 2020-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN112599612A | 公開(公告)日: | 2021-04-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 董超;趙志國;秦校軍;熊繼光;王百月;劉家梁;劉娜;趙東明;肖平;王森 | 申請(專利權(quán))人: | 華能新能源股份有限公司;中國華能集團清潔能源技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/0445 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人: | 張海平 |
| 地址: | 100036 北京市海淀*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 金屬電極 激光 方法 薄膜 太陽能電池 | ||
1.一種薄膜太陽能電池,其特征在于,包括導電玻璃(102),導電玻璃(102)上表面設有吸收層(301),吸收層(301)的上下表面分別設有正電極層(501)和負電極層(101);
負電極層(101)上開設有與導電玻璃(102)的玻璃層相通的第一刻線槽(201),第一刻線槽(201)內(nèi)填充有吸收層(301),吸收層(301)上表面開設有與負電極層(101)相通的第二刻線槽(401),第二刻線槽(401)的底部位于第一刻線槽(201)頂部的側(cè)邊,吸收層(301)上表面設有正電極層(501),第二刻線槽(401)內(nèi)填充有正電極層(501),正電極層(501)上開設有與吸收層(301)相通的第三刻線槽(601),第三刻線槽(601)位于第二刻線槽(401)頂部的側(cè)邊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池,其特征在于,所述第一刻線槽(201)、第二刻線槽(401)和第三刻線槽(601)的寬度均為28~32μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池,其特征在于,所述第一刻線槽(201)、第二刻線槽(401)和第三刻線槽(601)均通過納秒激光器進行激光刻線得到。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池,其特征在于,所述負電極層(101)為導電氧化層或電子傳輸層;所述的正電極層(501)為導電氧化層或空穴傳輸層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池,其特征在于,所述吸收層(301)由銅銦鎵硒、鈣鈦礦和碲化鎘制備而成;所述導電玻璃(102)為ITO玻璃或FTO玻璃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池,其特征在于,所述吸收層(301)的厚度為500~700nm;所述正電極層(501)和負電極層(101)的厚度均為300~700nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池,其特征在于,所述第二刻線槽(401)底部的一端與第一刻線槽(201)頂部的一端連接;第二刻線槽(401)頂部的一端與第三刻線槽(601)底部的一端連接。
8.一種權(quán)利要求1~7任一項所述薄膜太陽能電池的激光刻線方法,其特征在于,包括如下步驟:
S1:在導電玻璃(102)上沉積負電極層(101),然后對負電極層(101)進行激光P1刻線,由負電極層(101)刻至導電玻璃(102)的玻璃層,在負電極層(101)上形成若干個將負電極層(101)分割的第一刻線槽(201);
S2:在負電極層(101)和第一刻線槽(201)上沉積吸收層(301),然后在吸收層(301)上進行激光P2刻線,由吸收層(301)刻至負電極層(101),在吸收層(301)上形成若干個將吸收層(301)分割的第二刻線槽(401);
S3:在吸收層(301)和第二刻線槽(401)上沉積正電極層(501),然后在正電極層(501)上進行激光P3刻線,由正電極層(501)刻至吸收層(301),在正電極層(501)上形成若干個將正電極層(501)分割的第三刻線槽(601),得到薄膜太陽能電池。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的激光刻線方法,其特征在于,所述第二刻線槽(401)底部的一端與第一刻線槽(201)頂部的一端連接;第二刻線槽(401)頂部的一端與第三刻線槽(601)底部的一端連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的激光刻線方法,其特征在于,激光刻線過程中,脈沖持續(xù)時間為0.1~100納秒。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于華能新能源股份有限公司;中國華能集團清潔能源技術研究院有限公司,未經(jīng)華能新能源股份有限公司;中國華能集團清潔能源技術研究院有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011474879.5/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





