[發明專利]抗蝕劑組合物以及抗蝕劑圖案形成方法

在審

• 申請號: 202011474716.7
• 申請日: 2020-12-14
• 公開（公告）號: CN112987497A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 平野智之;米村幸治;中川裕介
• 申請（專利權）人: 東京應化工業株式會社
• 主分類號: G03F7/038
• 分類號: G03F7/038;G03F7/004
• 代理公司: 上海立群專利代理事務所(普通合伙) 31291
• 代理人: 陳亦歐;毛立群

1.一種負型抗蝕劑組合物，其特征在于，含有：

具有以下述通式(a10-1)表示的結構單元(a10)的高分子化合物(A1)、

以下述通式(b0-1)表示的產酸劑(B0)、

交聯劑(C)、

在分子內具有1個或2個酚羥基且不具有羧基的芳香族化合物(Z)，

[化1]

式中，R為氫原子、碳數為1～5的烷基或碳數為1～5的鹵代烷基，Ya^x1為單鍵或2價的連接基團，Wa^x1為可具有取代基的芳香族烴基，n_ax1為1以上的整數，

[化2]

式中，Rb¹為有機基團，Rb²是以下述通式(b0-r-1)或下述通式(b0-r-2)表示的基團，

[化3]

式(b0-r-1)中，Rb²⁰¹及Rb²⁰²分別獨立地為有機基團，*表示鍵，式(b0-r-2)中，Xb是與-(O＝)C-N-C(＝O)-共同形成具有環狀酰亞胺結構的環式基的基團，*表示鍵。

2.如權利要求1所述的負型抗蝕劑組合物，其特征在于，所述芳香族化合物(Z)含有從由以下述通式(z1-1)表示的化合物及以下述通式(z2-1)表示的化合物構成的組中選擇的至少一種化合物，

[化4]

式(z1-1)中，V_z¹為不具有羥基及羧基的2價連接基團，式(z2-1)中，Rz²為烴基，n1為1或2，n2為2～5的整數，其中，n1+n2≤6。

3.如權利要求1所述的抗蝕劑組合物，其特征在于，所述芳香族化合物(Z)的含量相對于所述高分子化合物(A1)100質量份為0.5～30質量份。

4.一種抗蝕劑圖案形成方法，其特征在于，具有使用權利要求1～3的任一項所述的抗蝕劑組合物在支承體上形成抗蝕劑膜的工序、將所述抗蝕劑膜曝光的工序、以及將所述曝光后的抗蝕劑膜顯影來形成抗蝕劑圖案的工序。