[發明專利]高純硅烷金屬離子檢測取樣裝置

在審

• 申請號: 202011474322.1
• 申請日: 2020-12-14
• 公開（公告）號: CN112629951A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 陶剛義;許亮
• 申請（專利權）人: 內蒙古興洋科技有限公司
• 主分類號: G01N1/22
• 分類號: G01N1/22
• 代理公司: 北京慕達星云知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11465
• 代理人: 姜海榮

1.一種高純硅烷金屬離子檢測取樣裝置，其特征在于，包括：供氣模塊、取樣模塊、真空模塊和控制模塊；

所述供氣模塊包括硅烷氣瓶(100)和氦氣瓶(101)；所述硅烷氣瓶(100)和氦氣瓶(101)分別通過第一管路(102)和第二管路(103)并聯；所述第一管路(102)上安裝有第一氣動隔膜閥(104)，所述第二管路(103)上安裝有第二氣動隔膜閥(105)；

所述取樣模塊包括取樣瓶組，所述取樣瓶組的入口連通有進氣管路(200)，所述進氣管路(200)遠離所述取樣瓶組的一端與所述第一管路(102)和第二管路(103)的交點連通，所述進氣管路(200)上安裝有第三氣動隔膜閥(201)；所述取樣瓶組的出口連通有出氣管路(202)；

所述真空模塊包括文丘里真空泵(300)；所述文丘里真空泵(300)具有兩個抽氣口和一個排氣口；兩個所述抽氣口分別連通第三管路(301)和第四管路(302)；所述第三管路(301)與所述進氣管路(200)連通，且其上安裝有第四氣動隔膜閥(303)；所述第四管路(302)與所述出氣管路(202)連通；

所述控制模塊分別與所述第一氣動隔膜閥(104)、第二氣動隔膜閥(105)、第三氣動隔膜閥(201)和第四氣動隔膜閥(303)電性連接。

2.根據權利要求1所述的一種高純硅烷金屬離子檢測取樣裝置，其特征在于，所述取樣瓶組包括依次連接在所述進氣管路(200)和出氣管路(202)之間的防倒吸瓶(203)、吸收瓶(204)和堿液吸收放空瓶(205)。

3.根據權利要求2所述的一種高純硅烷金屬離子檢測取樣裝置，其特征在于，所述防倒吸瓶(203)內的出氣管長于進氣管；所述吸收瓶(204)的進氣管長于出氣管；所述堿液吸收放空瓶(205)的進氣管長于出氣管。

4.根據權利要求2所述的一種高純硅烷金屬離子檢測取樣裝置，其特征在于，所述吸收瓶(204)內用于盛接含有硝酸溶液的PTFE。

5.根據權利要求1-4任一項所述的一種高純硅烷金屬離子檢測取樣裝置，其特征在于，所述第一管路(102)上安裝有第一止逆閥(106)，所述第一止逆閥(106)位于所述第一氣動隔膜閥(104)遠離所述硅烷氣瓶(100)的一側，且防止氣體向所述硅烷氣瓶(100)方向回流；所述第二管路(103)上安裝有第二止逆閥(107)，所述第二止逆閥(107)位于所述第二氣動隔膜閥(105)遠離所述氦氣瓶(101)的一側，且防止氣體向所述氦氣瓶(101)方向回流；所述進氣管路(200)上安裝有第三止逆閥(206)，所述第三止逆閥(206)位于所述取樣瓶組與所述第三氣動隔膜閥(201)之間，且防止氣體向所述第三止逆閥(206)方向回流；所述第三管路(301)上安裝有第四止逆閥(304)，所述第四止逆閥(304)位于所述第四氣動隔膜閥(303)和所述文丘里真空泵(300)之間，且防止氣體向所述第四氣動隔膜閥(303)方向回流；所述第四管路(302)上安裝有第五止逆閥(305)，所述第五止逆閥(305)防止氣體向所述出氣管路(202)方向回流。

6.根據權利要求5所述的一種高純硅烷金屬離子檢測取樣裝置，其特征在于，所述第一管路(102)上安裝有第一減壓閥(108)，所述第一減壓閥(108)位于所述第一氣動隔膜閥(104)和所述硅烷氣瓶(100)之間；所述第二管路(103)上安裝有第二減壓閥(109)，所述第二減壓閥(109)位于所述第二氣動隔膜閥(105)和所述氦氣瓶(101)之間。

7.根據權利要求1所述的一種高純硅烷金屬離子檢測取樣裝置，其特征在于，所述進氣管路(200)上安裝有流量控制器(207)，所述流量控制器(207)位于所述第三氣動隔膜閥(201)遠離所述吸收瓶組的一側。

8.根據權利要求7所述的一種高純硅烷金屬離子檢測取樣裝置，其特征在于，所述進氣管路(200)上安裝有壓力表(208)，所述壓力表(208)位于所述流量控制器(207)遠離所述吸收瓶組的一側。