[發明專利]一種高精度膜厚測量系統及方法在審
| 申請號: | 202011474312.8 | 申請日: | 2020-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN112680709A | 公開(公告)日: | 2021-04-20 |
| 發明(設計)人: | 夏禹;曹永盛;郭杏元 | 申請(專利權)人: | 光芯薄膜(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/54 | 分類號: | C23C14/54;C23C14/35;C23C14/24;G01B17/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 高精度 測量 系統 方法 | ||
1.一種高精度膜厚測量系統,該系統包括:石英晶體、晶片探頭、振蕩包、膜厚儀、膜厚儀安裝支架、溫度傳感器、編碼器、滑環、超級電容以及真空饋入法蘭,其特征在于:利用編碼器實時檢測晶片探頭旋轉位置、選取最佳測量位置讀取石英晶體頻率;利用溫度傳感器實時測量晶片探頭溫度,對上述石英晶體頻率進行溫度補償、膜厚儀根據補償后頻率計算真實膜厚,通過滑環實現膜厚儀的雙向數據傳輸及電源引入。
2.根據權利要求1所述的一種高精度膜厚測量系統,其特征在于:石英晶體安裝在晶片探頭內,所述晶片探頭安裝在旋轉工件架上,隨工件架旋轉。
3.根據權利要求1所述的一種高精度膜厚測量系統,其特征在于:晶片探頭通過所述真空饋入法蘭與所述振蕩包相連,所述振蕩包與所述膜厚儀相連。
4.根據權利要求1所述的一種高精度膜厚測量系統,其特征在于:所述膜厚儀集成超級電容儲能,避免電源瞬間供電不良導致的膜厚儀斷電。
5.根據權利要求1所述的一種高精度膜厚測量系統,其特征在于:所述膜厚儀與工控機之間的通訊采用應答重傳機制,確保每次膜厚數據的可靠傳輸。
6.根據權利要求1所述的一種高精度膜厚測量系統,其特征在于:所述滑環設置于真空腔體外工件架旋轉軸上,用以實現厚膜儀的電源及數據連接,所述電源線及數據線均采用多線冗余連接,某根導線的接觸不良并不影響正常工作。
7.根據權利要求1所述的一種高精度膜厚測量系統,其特征在于:所述溫度傳感器設置在晶片探頭背面,隨晶片探頭旋轉,實時監測晶片探頭溫度。
8.根據權利要求1所述的一種高精度膜厚測量系統,其特征在于:所述膜厚儀根據溫度對石英晶體頻率校準,以校準后頻率計算真實膜厚。
9.根據權利要求1所述的一種高精度膜厚測量系統,其特征在于:編碼器設置于真空腔體外工件架旋轉軸上,實時測量晶片探頭在真空腔體圓周的位置。
10.根據權利要求1所述的一種高精度膜厚測量系統,其特征在于:膜厚儀通過所述編碼器確認晶片探頭的位置,選取晶片探頭在非濺射位時進行石英晶體的頻率采集以及膜厚計算。
11.一種高精度膜厚測量方法,其步驟包含:S1:工控機向膜厚儀輸出膜厚清零命令、沉積材料的膜厚計算參數以及膜厚采集位置參數;S2:檢測編碼器信號,當位置為設定位置時,判斷為石英晶體的頻率穩定時刻;S3:啟動采集石英晶體的頻率數據,啟動采集溫度傳感器的溫度數據;S4:根據溫度傳感器的溫度數據對石英晶體的頻率進行溫度校準;S5:膜厚儀利用校準后的頻率值計算膜厚,將膜厚數據發送到工控機;S6: 繼續沉積直至目標膜厚,然后停止濺射靶電源,結束當前膜層鍍膜。
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