[發明專利]一種納米圖形化襯底及其制作方法在審
| 申請號： | 202011474285.4 | 申請日： | 2020-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN112687778A | 公開（公告）日： | 2021-04-20 |
| 發明（設計）人： | 徐廣源;崔志強;賈曉龍;孟錫俊;蔣國文 | 申請（專利權）人： | 北京中科優唯科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/32 | 分類號： | H01L33/32;H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 張永輝 |
| 地址： | 100000 北京市大興區經濟*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 納米 圖形 襯底 及其 制作方法 | ||
1.一種納米圖形化襯底的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
步驟一、在襯底上施加具有多個孔洞的模板，所述孔洞的直徑范圍為100nm-800nm；
步驟二、透過所述模板的孔洞向所述襯底與所述孔洞對應的表面施加氮化鋁層；
步驟三、將施加有氮化鋁層的襯底進行退火。
2.根據權利要求1所述的一種納米圖形化襯底的制作方法，其特征在于，
在所述步驟二中，通過磁控濺射施加所述氮化鋁層。
3.根據權利要求2所述的一種納米圖形化襯底的制作方法，其特征在于，所述磁控濺射的環境包括：工作功率為1000～4000W，氮氣流量為80～200sccm，氧氣流量為0.1～2sccm，氬氣流量為0.1～40sccm，溫度為400～750℃。
4.根據權利要求2或3所述的一種納米圖形化襯底的制作方法，其特征在于，所述氮化鋁層的厚度為10～200nm。
5.根據權利要求2所述的一種納米圖形化襯底的制作方法，其特征在于，所述步驟三中退火的環境包括：溫度為500～1000℃，退火時間為0.2～3h，退火氣氛為氮氣，氮氣流量為200～10000sccm。
6.根據權利要求2所述的一種納米圖形化襯底的制作方法，其特征在于，所述襯底包括藍寶石襯底。
7.根據權利要求1所述的一種納米圖形化襯底的制作方法，其特征在于，所述孔洞的形狀包括方形、圓形或者其它異形。
8.根據權利要求1所述的一種納米圖形化襯底的制作方法，其特征在于，所述模板上的孔洞均勻排列。
9.根據權利要求1所述的一種納米圖形化襯底的制作方法，其特征在于，一種納米圖形化襯底，其特征在于，在所述步驟二中，通過原子層沉積方法或氣相化學沉積方法施加所述氮化鋁層。
10.一種納米圖形化襯底，其特征在于，所述襯底采用如權利要求1-6中任一項所述的方法制成。
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