[發(fā)明專利]一種混合雙尾動態(tài)鎖存比較器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011474163.5 | 申請日: | 2020-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN112653433B | 公開(公告)日: | 2023-05-09 |
| 發(fā)明(設計)人: | 蘇杰;李孫華;徐祎喆;朱勇 | 申請(專利權)人: | 重慶百瑞互聯(lián)電子技術有限公司 |
| 主分類號: | H03K5/22 | 分類號: | H03K5/22 |
| 代理公司: | 北京國科程知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11862 | 代理人: | 曹曉斐 |
| 地址: | 401120 重慶市渝北區(qū)*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 混合 動態(tài) 比較 | ||
1.一種混合雙尾動態(tài)鎖存比較器,包括預放大輸入單元、鎖存結構單元,其特征在于,包括:
預放大時鐘控制單元,其通過同相時鐘信號控制其中間輸出節(jié)點的電位狀態(tài),其中所述電位狀態(tài)包括充電狀態(tài)和放電狀態(tài);
交叉耦合單元,其對所述混合雙尾動態(tài)鎖存比較器的有效跨導和中間差分電壓進行調(diào)節(jié),其兩個輸入端分別對應連接所述預放大輸入單元的兩個輸出端和所述鎖存結構單元的兩個輸入端;
反饋控制單元,其對所述中間輸出節(jié)點接收到的信號進行反饋,并根據(jù)所述鎖存結構單元的輸入信號控制所述反饋控制單元的通斷,其兩個輸入端對應連接所述交叉耦合單元的兩個輸入端;所述交叉耦合單元包括第一負載NMOS晶體管和第二負載NMOS晶體管,其中,
所述第一負載NMOS晶體管的漏極連接所述鎖存結構單元的正輸入端,其柵極連接所述鎖存結構單元的負輸入端,其源極接地;
所述第二負載NMOS晶體管的漏極連接所述鎖存結構單元的負輸入端,其柵極連接所述鎖存結構單元的正輸入端,其源極接地,其中,所述鎖存結構單元的負輸入端連接中間反向輸出節(jié)點,所述鎖存結構單元的正輸入端連接中間正向輸出節(jié)點。
2.如權利要求1所述的混合雙尾動態(tài)鎖存比較器,其特征在于,所述中間輸出節(jié)點包括中間正向輸出節(jié)點和中間反向輸出節(jié)點,其中,在所述充電狀態(tài)時,所述中間輸出節(jié)點的電位升高,最終與外部電源電位相同,在所述放電狀態(tài)時,所述中間輸出節(jié)點的電位降低,最終與地端電位相同。
3.如權利要求1所述的混合雙尾動態(tài)鎖存比較器,其特征在于,所述鎖存結構單元包括鎖存時鐘控制電路,所述鎖存時鐘控制電路接收反相時鐘信號控制所述鎖存結構單元的輸出節(jié)點的工作階段,其中,所述工作階段包括復位階段和評估階段。
4.如權利要求1所述的混合雙尾動態(tài)鎖存比較器,其特征在于,所述預放大時鐘控制單元包括第三NMOS晶體管、第四NMOS晶體管和第十三PMOS晶體管,其中,
所述同相時鐘信號通過所述第三NMOS晶體管的柵極、所述第四NMOS晶體管的柵極和所述第十三PMOS晶體管的柵極輸入,所述第三NMOS晶體管的源極和所述第四NMOS晶體管的源極接地,所述第十三PMOS晶體管的源極接外部電源。
5.如權利要求1所述的混合雙尾動態(tài)鎖存比較器,其特征在于,所述預放大輸入單元包括第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管,其中,
所述第一PMOS晶體管的柵極連接差分信號的正輸入端,其漏極連接所述預放大時鐘控制單元中的第三NMOS晶體管的漏極;
所述第二PMOS晶體管的柵極連接所述差分信號的負輸入端,其漏極連接所述預放大時鐘控制單元中的第四NMOS晶體管的漏極。
6.如權利要求1所述的混合雙尾動態(tài)鎖存比較器,其特征在于,所述反饋控制單元包括第一開關PMOS晶體管和第二開關PMOS晶體管,其中,
所述第一開關PMOS晶體管的柵極連接所述中間正向輸出節(jié)點,其漏極連接所述預放大輸入單元中的第一PMOS晶體管的源極,其源極連接所述預放大時鐘控制單元中的第十三PMOS晶體管的漏極;
所述第二開關PMOS晶體管的柵極連接所述中間反向輸出節(jié)點,其漏極連接所述預放大輸入單元中的第二PMOS晶體管的源極,其源極連接所述預放大時鐘控制單元中的所述第十三PMOS晶體管的漏極。
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