[發(fā)明專利]存儲方法及裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011473042.9
• 申請日: 2020-12-15
• 公開（公告）號: CN112527204A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 本條嵩騎;紀(jì)亮
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳星火半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 魏宇星

本發(fā)明涉及一種存儲方法及裝置，應(yīng)用于閃存設(shè)備，閃存設(shè)備具有多層存儲單元，方法包括：將多層存儲單元中的預(yù)設(shè)區(qū)域轉(zhuǎn)換為虛擬單層存儲單元；虛擬單層存儲單元所在的區(qū)域?yàn)樘摂M單層存儲單元分區(qū)；多層存儲單元中至少剩余一部分區(qū)域未被轉(zhuǎn)換，剩余一部分區(qū)域?yàn)槎鄬哟鎯卧謪^(qū)；在虛擬單層存儲單元分區(qū)寫入用戶數(shù)據(jù)；及在多層存儲單元分區(qū)備份用戶數(shù)據(jù)中的關(guān)鍵數(shù)據(jù)。上述存儲方法，成本較低，并且能夠避免關(guān)鍵數(shù)據(jù)丟失或被循環(huán)覆蓋，保證關(guān)鍵數(shù)據(jù)的安全，從而確保關(guān)鍵事故后能夠取證成功。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及存儲技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種存儲方法及裝置。

背景技術(shù)

NAND閃存(Nand flash)是一種非易失性存儲介質(zhì)，NAND閃存基本存儲單元(Cell)是一種類N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體(NMOS，N-Metal-Oxide-Semiconductor)的雙層浮空柵(Floating Gate)場效應(yīng)(MOS，MOSFET)管組成,除了浮空柵閃存(FGF，F(xiàn)loating GateFlash)技術(shù)，還有一種電荷擷取閃存(CTF，Charge Trap Flash)技術(shù)。一個(gè)存儲單元存儲1比特(bit)數(shù)據(jù)的NAND閃存為單層存儲單元(SLC，Single Level Cell)，一個(gè)存儲單元存儲2bit數(shù)據(jù)的NAND閃存為雙層存儲單元(MLC，Multiple Level Cell)，一個(gè)存儲單元存儲3bit數(shù)據(jù)的NAND閃存為三層存儲單元(TLC，Triple Level Cell)。SLC存儲單元使用壽命可超過TLC存儲單元的百倍，但價(jià)格昂貴。

通過對存儲的模式設(shè)置，TLC可以切換到SLC模式，我們稱之為虛擬單層存儲單元(pSLC，Pseudo Single Level Cell)。pSLC和TLC混合使用的情況我們稱為混合存儲(Hybrid Memory)。pSLC模式較TLC模式速度更快，更穩(wěn)定。但pSLC模式下有效存儲容量會變小。因此，可以在TLC存儲中分配一小部分區(qū)域并切換為pSLC模式，作為高速緩存來達(dá)到加速目的，從而提升性能。基于有效存儲容量的考量，pSLC模式的緩存區(qū)不會太大。

內(nèi)嵌式存儲器eMMC(Embedded Multi Media Card)在內(nèi)部對閃存(Flash Memory)進(jìn)行分區(qū)管理。eMMC標(biāo)準(zhǔn)中，為分區(qū)定義了增強(qiáng)屬性(Enhanced attribute)的屬性。在實(shí)際的產(chǎn)品中，設(shè)定增強(qiáng)屬性的分區(qū)一般被設(shè)置為pSLC，并且增強(qiáng)屬性區(qū)(Enhanced attributeArea)在設(shè)備生命周期內(nèi)只能被編程(programmed)一次，以提高該分區(qū)的讀寫性能、壽命以及穩(wěn)定性。

在持續(xù)寫應(yīng)用場景下，下面以車載行車記錄儀所用eMMC存儲來做說明，傳統(tǒng)技術(shù)中一般是分配少量pSLC區(qū)域且設(shè)置為增強(qiáng)屬性，該pSLC區(qū)域只能寫入一次(only writeonce)，主要用來存儲一些特定的只讀數(shù)據(jù)。行車記錄儀所記錄的數(shù)據(jù)均存儲到TLC的用戶數(shù)據(jù)區(qū)(User Data Area)分區(qū)。

然而，行車記錄儀存儲寫滿后最常見的記錄方式是循環(huán)錄制，新生成的熱數(shù)據(jù)會覆蓋原有的冷數(shù)據(jù)，不斷的循環(huán)，這樣就不會出現(xiàn)存儲容量不足的情況。但是這樣記錄方式的缺點(diǎn)是新的熱數(shù)據(jù)的存儲會覆蓋原有的冷數(shù)據(jù)，也就是說，原有的冷數(shù)據(jù)會隨著新的熱數(shù)據(jù)增加而丟失。

行車記錄儀用戶關(guān)心的通常是汽車在撞擊、碰瓷等相關(guān)情形下的行車記錄儀記錄下來的完整數(shù)據(jù)。當(dāng)事故后用戶去讀取行車記錄儀所存儲數(shù)據(jù)時(shí)，有可能事故相關(guān)數(shù)據(jù)已經(jīng)被新的熱數(shù)據(jù)覆蓋，從而導(dǎo)致事故數(shù)據(jù)的取證失敗。

為了解決上述事故數(shù)據(jù)丟失的問題，傳統(tǒng)技術(shù)中采用eMMC結(jié)合安全數(shù)碼(SD，Secure Digital Memory)/微型安全數(shù)碼(microSD)的雙存儲方案，但此方案勢必帶來成本的上升。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要針對上述問題，提供一種存儲方法及裝置。

一種存儲方法，應(yīng)用于閃存設(shè)備，所述閃存設(shè)備具有多層存儲單元，所述方法包括：