[發明專利]存儲方法及裝置

在審

• 申請號: 202011473042.9
• 申請日: 2020-12-15
• 公開（公告）號: CN112527204A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 本條嵩騎;紀亮
• 申請（專利權）人: 深圳星火半導體科技有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 魏宇星

本發明涉及一種存儲方法及裝置，應用于閃存設備，閃存設備具有多層存儲單元，方法包括：將多層存儲單元中的預設區域轉換為虛擬單層存儲單元；虛擬單層存儲單元所在的區域為虛擬單層存儲單元分區；多層存儲單元中至少剩余一部分區域未被轉換，剩余一部分區域為多層存儲單元分區；在虛擬單層存儲單元分區寫入用戶數據；及在多層存儲單元分區備份用戶數據中的關鍵數據。上述存儲方法，成本較低，并且能夠避免關鍵數據丟失或被循環覆蓋，保證關鍵數據的安全，從而確保關鍵事故后能夠取證成功。

技術領域

本發明涉及存儲技術領域，特別是涉及一種存儲方法及裝置。

背景技術

NAND閃存(Nand flash)是一種非易失性存儲介質，NAND閃存基本存儲單元(Cell)是一種類N型金屬-氧化物-半導體(NMOS，N-Metal-Oxide-Semiconductor)的雙層浮空柵(Floating Gate)場效應(MOS，MOSFET)管組成,除了浮空柵閃存(FGF，Floating GateFlash)技術，還有一種電荷擷取閃存(CTF，Charge Trap Flash)技術。一個存儲單元存儲1比特(bit)數據的NAND閃存為單層存儲單元(SLC，Single Level Cell)，一個存儲單元存儲2bit數據的NAND閃存為雙層存儲單元(MLC，Multiple Level Cell)，一個存儲單元存儲3bit數據的NAND閃存為三層存儲單元(TLC，Triple Level Cell)。SLC存儲單元使用壽命可超過TLC存儲單元的百倍，但價格昂貴。

通過對存儲的模式設置，TLC可以切換到SLC模式，我們稱之為虛擬單層存儲單元(pSLC，Pseudo Single Level Cell)。pSLC和TLC混合使用的情況我們稱為混合存儲(Hybrid Memory)。pSLC模式較TLC模式速度更快，更穩定。但pSLC模式下有效存儲容量會變小。因此，可以在TLC存儲中分配一小部分區域并切換為pSLC模式，作為高速緩存來達到加速目的，從而提升性能。基于有效存儲容量的考量，pSLC模式的緩存區不會太大。

內嵌式存儲器eMMC(Embedded Multi Media Card)在內部對閃存(Flash Memory)進行分區管理。eMMC標準中，為分區定義了增強屬性(Enhanced attribute)的屬性。在實際的產品中，設定增強屬性的分區一般被設置為pSLC，并且增強屬性區(Enhanced attributeArea)在設備生命周期內只能被編程(programmed)一次，以提高該分區的讀寫性能、壽命以及穩定性。

在持續寫應用場景下，下面以車載行車記錄儀所用eMMC存儲來做說明，傳統技術中一般是分配少量pSLC區域且設置為增強屬性，該pSLC區域只能寫入一次(only writeonce)，主要用來存儲一些特定的只讀數據。行車記錄儀所記錄的數據均存儲到TLC的用戶數據區(User Data Area)分區。

然而，行車記錄儀存儲寫滿后最常見的記錄方式是循環錄制，新生成的熱數據會覆蓋原有的冷數據，不斷的循環，這樣就不會出現存儲容量不足的情況。但是這樣記錄方式的缺點是新的熱數據的存儲會覆蓋原有的冷數據，也就是說，原有的冷數據會隨著新的熱數據增加而丟失。

行車記錄儀用戶關心的通常是汽車在撞擊、碰瓷等相關情形下的行車記錄儀記錄下來的完整數據。當事故后用戶去讀取行車記錄儀所存儲數據時，有可能事故相關數據已經被新的熱數據覆蓋，從而導致事故數據的取證失敗。

為了解決上述事故數據丟失的問題，傳統技術中采用eMMC結合安全數碼(SD，Secure Digital Memory)/微型安全數碼(microSD)的雙存儲方案，但此方案勢必帶來成本的上升。

發明內容

基于此，有必要針對上述問題，提供一種存儲方法及裝置。

一種存儲方法，應用于閃存設備，所述閃存設備具有多層存儲單元，所述方法包括：