[發明專利]套刻誤差檢測用圖形結構及方法

有效

• 申請號: 202011472159.5
• 申請日: 2020-12-15
• 公開（公告）號: CN112612185B
• 公開（公告）日: 2022-11-22
• 發明（設計）人: 陳媛;邱瑾玉;耿玉慧;宋之洋
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479
• 代理人: 高園園

1.一種套刻誤差檢測用圖形結構，其特征在于，其包括上下疊置的兩個膜層，還包括第一圖形及第二圖形，所述第一圖形和第二圖形分別形成于上下疊置的兩個膜層上，所述第一圖形和第二圖形上下對應設置且中心點位于同一垂線上；所述第一圖形包括單個第一矩形圖案，所述第二圖形包括單個或多個第二矩形圖案，當第二矩形圖案為多個時，多個第二矩形圖案平行間隔分布；其中，所述第一矩形圖案的長邊與短邊的比值小于所述第二矩形圖案的長邊與短邊的比值，第二矩形圖案的中間部分沿垂直所述第一矩形圖案方向的正投影落在所述第一矩形圖案內，與中間部分相連接的兩端的正投影位于所述第一矩形圖案外。

2.根據權利要求1所述的套刻誤差檢測用圖形結構，其特征在于，第一矩形圖案的長邊與第二矩形圖案的長邊均小于等于2μm。

3.根據權利要求2所述的套刻誤差檢測用圖形結構，其特征在于，所述第二矩形圖案為單個，所述第二矩形圖案的長邊與所述第一矩形圖案的長邊相平行，所述第二矩形圖案的長邊尺寸大于所述第一矩形圖案的長邊尺寸，所述第二矩形圖案的短邊尺寸小于所述第一矩形圖案的短邊尺寸且大于所述第二矩形圖案的長邊與所述第一矩形圖案的長邊的間距。

4.根據權利要求3所述的套刻誤差檢測用圖形結構，其特征在于，所述第一矩形圖案的長邊為1μm且短邊為0.8μm，所述第二矩形圖案的長邊為1.2μm且短邊為0.5μm，所述第二矩形圖案的長邊與所述第一矩形圖案的長邊的間距為0.15μm。

5.根據權利要求2所述的套刻誤差檢測用圖形結構，其特征在于，所述第二矩形圖案為3個，所述第二矩形圖案的長邊與所述第一矩形圖案的短邊相平行，相鄰的第二矩形圖案之間的間距與第二矩形圖案的短邊尺寸相同，且第二矩形圖案的短邊尺寸小于第二矩形圖案的長邊與第一矩形圖案的短邊的最短距離，位于正中間的第二矩形圖案與位于其兩側的第二矩形圖案的短邊和/或長邊尺寸相同或不同。

6.根據權利要求5所述的套刻誤差檢測用圖形結構，其特征在于，所述第一矩形圖案的長邊為1.2μm且短邊為1μm，所有所述第二矩形圖案的長邊為1.2μm且短邊為0.15μm，所述第二矩形圖案的長邊與第一矩形圖案的短邊的最短距離為0.225μm。

7.根據權利要求2所述的套刻誤差檢測用圖形結構，其特征在于，所述第二矩形圖案為3個，所述第二矩形圖案的長邊與所述第一矩形圖案的短邊相平行，相鄰的所述第二矩形圖案之間的間距與所述第二矩形圖案的短邊尺寸相同，且第二矩形圖案的短邊尺寸大于第二矩形圖案的長邊與第一矩形圖案的短邊的最短距離，位于正中間的第二矩形圖案與位于其兩側的第二矩形圖案的短邊和/或長邊尺寸相同或不同。

8.根據權利要求7所述的套刻誤差檢測用圖形結構，其特征在于，所述第一矩形圖案的長邊為1.2μm且短邊為1μm，所有所述第二矩形圖案的長邊為1.2μm且短邊為0.2μm，第二矩形圖案的長邊與第一矩形圖案的短邊的最短距離為0.1μm。

9.根據權利要求2所述的套刻誤差檢測用圖形結構，其特征在于，所述第二矩形圖案為5個，所述第二矩形圖案的長邊與所述第一矩形圖案的短邊相平行，相鄰的第二矩形圖案之間的間距與同一晶粒內的器件結構之間的間距接近，且第二矩形圖案的短邊尺寸小于第二矩形圖案的長邊與第一矩形圖案的短邊的最短距離，位于正中間的第二矩形圖案與位于其兩側的第二矩形圖案的短邊和/或長邊尺寸相同或不同。

10.根據權利要求9所述的套刻誤差檢測用圖形結構，其特征在于，所述第一矩形圖案的長邊為1.2μm且短邊為1μm，所有所述第二矩形圖案的長邊為1.2μm且短邊為0.1μm，第二矩形圖案的長邊與第一矩形圖案的短邊的最短距離為0.15μm。

11.一種套刻誤差檢測方法，其特征在于，所述套刻誤差檢測方法基于權利要求1-10任一項所述的套刻誤差檢測用圖形結構進行。