[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011471671.8
• 申請日: 2020-12-14
• 公開（公告）號: CN113206079A
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 游家權(quán);莊禮陽;朱熙甯;江國誠;王志豪
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L27/092;H01L21/8234;H01L21/8238
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;閆華

本發(fā)明實施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基板、第一垂直結(jié)構(gòu)與第二垂直結(jié)構(gòu)以及隔離結(jié)構(gòu)。第一垂直結(jié)構(gòu)與第二垂直結(jié)構(gòu)形成于基板上；隔離結(jié)構(gòu)位于第一垂直結(jié)構(gòu)與第二垂直結(jié)構(gòu)之間。隔離結(jié)構(gòu)包括中心區(qū)與多個基腳區(qū)形成于中心區(qū)的兩側(cè)上。每一基腳區(qū)為自每一基腳區(qū)的第一末端至第二末端朝向中心區(qū)的錐形。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實施例涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，尤其涉及隔離結(jié)構(gòu)與其制作方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體技術(shù)中的進(jìn)展對更高儲存能力、更快處理系統(tǒng)、更高效能與更低成本的半導(dǎo)體裝置需求也增加。為符合這些需求，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)縮小半導(dǎo)體裝置(如金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管，包含平面金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管、鰭狀場效晶體管或納米片場效晶體管)的尺寸。尺寸縮小會增加半導(dǎo)體制造工藝的復(fù)雜度。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例的目的在于提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，以解決上述至少一個問題。

在一些實施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可包括基板；第一垂直結(jié)構(gòu)與第二垂直結(jié)構(gòu)，形成于基板上；以及隔離結(jié)構(gòu)，位于第一垂直結(jié)構(gòu)與第二垂直結(jié)構(gòu)之間。隔離結(jié)構(gòu)包括中心區(qū)與多個基腳區(qū)形成于中心區(qū)的兩側(cè)上。每一基腳區(qū)為自每一基腳區(qū)的第一末端至第二末端朝向中心區(qū)的錐形。

在一些實施例中，場效晶體管結(jié)構(gòu)可包括基板；第一垂直結(jié)構(gòu)與第二垂直結(jié)構(gòu)，形成于基板上；柵極結(jié)構(gòu)，位于第一垂直結(jié)構(gòu)與第二垂直結(jié)構(gòu)的部分上；以及隔離結(jié)構(gòu)，位于第一垂直結(jié)構(gòu)與第二垂直結(jié)構(gòu)之間。第一垂直結(jié)構(gòu)與第二垂直結(jié)構(gòu)的每一者包括通道層。隔離結(jié)構(gòu)可包括第一側(cè)壁、第二側(cè)壁與垂直地位于第一側(cè)壁與第二側(cè)壁之間的基腳區(qū)。第一側(cè)壁與第二側(cè)壁可位于隔離結(jié)構(gòu)的上表面與下表面之間。基腳區(qū)可為自第二側(cè)壁至第一側(cè)壁的錐形。

在一些實施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法可包括形成第一鰭狀結(jié)構(gòu)與第二鰭狀結(jié)構(gòu)于基板上；橫向地形成隔離結(jié)構(gòu)于第一鰭狀結(jié)構(gòu)與第二鰭狀結(jié)構(gòu)之間；以及移除隔離結(jié)構(gòu)的一部分，以形成自隔離結(jié)構(gòu)的側(cè)壁至隔離結(jié)構(gòu)的上表面的錐形的基腳區(qū)。隔離結(jié)構(gòu)可包括第一絕緣層與第一絕緣層上的第二絕緣層。

本發(fā)明實施例的有益效果在于，上側(cè)區(qū)包含基腳于下側(cè)區(qū)上。具有基腳的上側(cè)區(qū)的頂部寬度，比下側(cè)區(qū)的底部寬度窄。基腳的優(yōu)點為提供狹窄的隔離結(jié)構(gòu)頂部寬度與寬廣的隔離結(jié)構(gòu)底部寬度，以用于高密度集成電路所用的緊密且堅固的切割金屬柵極方案。

附圖說明

圖1A及圖1B分別為一些實施例中，半導(dǎo)體裝置的等角圖。

圖1C至圖1F為一些實施例中，半導(dǎo)體裝置的剖視圖。

圖2為一些實施例中，制作半導(dǎo)體裝置的方法的流程圖。

圖3A至圖3C與圖4A至圖4C為一些實施例中，半導(dǎo)體裝置于制作工藝的多種階段的等角圖。

圖5至圖16為一些實施例中，半導(dǎo)體裝置于制作工藝的多種階段的剖視圖。

圖17A及圖17B與圖18A及圖18B為一些實施例中，半導(dǎo)體裝置于制作工藝的多種階段的剖視圖。

附圖標(biāo)記如下：

C-C,D-D:剖線

G_L,L₁,W₁,W₂,848:水平尺寸

G_H,H₁,H₂,138_H:垂直尺寸

H_T:總高度

H₃,H₄,H₅:高度

S108,S108₁,S108₂,S108₃,125:分隔距離