[發(fā)明專利]一種高效制備薄層MXene的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011471250.5 | 申請(qǐng)日： | 2020-12-15 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112499601B | 公開（公告）日： | 2023-09-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 賴超;蘇忠;曲婕;孫闖 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 江蘇師范大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C01B21/06 | 分類號(hào)： | C01B21/06;C01B21/076;C01B32/914;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安杜諾匠心專利代理事務(wù)所(普通合伙) 61272 | 代理人： | 葉厚平 |
| 地址： | 221116 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 高效 制備 薄層 mxene 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種制備薄層MXene的方法，其特征是：將A層元素已經(jīng)被刻蝕的MAX塊體材料分散于一定量的剝離溶液中，振蕩剝離后，冷凍干燥即可獲得薄層MXene二維納米片層材料；其中：
A層元素為Al或Si；
振蕩時(shí)間為0.1h-10h；
剝離溶液為殼聚糖或聚丙烯酰胺的水溶液，濃度為0.01-100mg/mL，所添加剝離材料和待剝離的MAX材料的質(zhì)量比為1％到100％；
薄層MXene二維納米片層材料的厚度為1.5-100nm，片層結(jié)構(gòu)尺寸為0.1-10μm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備薄層MXene的方法，其特征是：所添加剝離材料和待剝離的MAX材料的質(zhì)量比為2％-20％。
3.權(quán)利要求1或2所述的方法制備得到的薄層MXene二維納米片層材料在制備儲(chǔ)能材料、復(fù)合納米材料、潤滑材料、吸附材料或者催化劑中的用途。
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