[發明專利]微發光二極管顯示面板及制備方法在審
| 申請號: | 202011471134.3 | 申請日: | 2020-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN112599552A | 公開(公告)日: | 2021-04-02 |
| 發明(設計)人: | 韋冬;李慶;于波;顧楊 | 申請(專利權)人: | 蘇州芯聚半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/44;H01L33/48;H01L33/58 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 常偉 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 顯示 面板 制備 方法 | ||
1.一種微發光二極管顯示面板,其特征在于,所述微發光二極管顯示面板包括:
襯底;
微發光二極管陣列,所述微發光二極管陣列設置于所述襯底一側的表面上,所述微發光二極管真理中,任意相鄰的微發光二極管之間具有隔離槽;
多個隔離柱,每一隔離柱位于對應的隔離槽中;以及
遮光結構,所述遮光結構形成于對應的隔離柱的頂面及側面;
其中,所述頂面朝向所述微發光二極管的發光面,所述側面圍繞所述頂面設置。
2.根據權利要求1所述的微發光二極管顯示面板,其特征在于,所述襯底上還包括低表面能功能層,所述低表面能功能層設置于所述微發光二極管陣列遠離所述襯底一側的表面上,所述低表面能功能層對應于所述隔離槽具有開槽,其中,所述隔離柱自所述開槽中突出所述襯底。
3.根據權利要求2所述的微發光二極管顯示面板,其特征在于,所述低表面能功能層為選自二氧化硅功能層、氮化硅功能層或者氧化鋁功能層。
4.根據權利要求2所述的微發光二極管顯示面板,其特征在于,通過圖案化制程形成所述開槽。
5.根據權利要求2所述的微發光二極管顯示面板,其特征在于,所述開槽的尺寸小于所述隔離槽的尺寸。
6.一種微發光二極管顯示面板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
S1、提供襯底,所述襯底一側的表面上包括微發光二極管陣列,所述微發光二極管陣列包括多個微發光二極管,任意兩個微發光二極管之間設有隔離槽;
S2、于所述襯底上形成隔離層,所述隔離層覆蓋所述微發光二極管陣列,圖案化所述隔離層形成多個隔離柱,每一隔離柱位于對應的隔離槽中;以及
S3、形成遮光結構于所述多個隔離柱上,所述遮光結構覆蓋所述隔離柱的頂面和側面。
7.根據權利要求6所述的制作方法,其特征在于,S3形成遮光結構于所述多個隔離柱上還包括:
S31、形成遮光材料層于所述襯底上覆蓋所述微發光二極管陣列和所述多個隔離柱;
S32、圖案化所述遮光材料層,移除所述遮光材料層對應所述微發光二極管的部分,形成覆蓋在隔離柱上的遮光結構。
8.根據權利要求6所述的制作方法,其特征在于,所述S2中形成所述隔離層之間還包括:
于所述襯底上形成低表面能功能層,所述低表面能功能層覆蓋所述微發光二極管陣列;以及
圖案化所述低表面能功能層形成多個開槽,多個開槽與多個隔離槽一一對應。
9.根據權利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述低表面能功能層為選自二氧化硅功能層、氮化硅功能層或者氧化鋁功能層。
10.根據權利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述S3中還包括:
形成遮光材料層于所述襯底上,且覆蓋所述低表面能功能層和所述多個隔離柱;以及
加熱固化,所述遮光材料朝向所述隔離柱聚集形成覆蓋在所述隔離柱上的遮光結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





