[發明專利]一種用于水熱溫差法晶體生長的雙層旋轉內擋板

在審

• 申請號: 202011470286.1
• 申請日: 2020-12-14
• 公開（公告）號: CN112481692A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 易際讓;王曉剛;劉盛浦
• 申請（專利權）人: 山東博達光電有限公司
• 主分類號: C30B7/10
• 分類號: C30B7/10
• 代理公司: 杭州中成專利事務所有限公司 33212
• 代理人: 金祺

1.用于水熱溫差法晶體生長的雙層旋轉內擋板，被置于水熱高壓釜的內腔中，其特征是：包括大小相等、且軸心線相重合的上擋板(1)和下擋板(3)；上擋板(1)位于下擋板(3)的正上方、且上擋板(1)與下擋板(3)之間的間距為可調間距，在上擋板(1)和下擋板(3)之間設置擋板連接柱(2)，所述擋板連接柱(2)分別與上擋板(1)和下擋板(3)相連；

在上擋板(1)上設有至少2圈的礦化劑下降通道，每圈的礦化劑下降通道包括均勻設置的至少2個的上擋板下降通孔(6-1)，在上擋板(1)的邊緣處均勻設置一圈礦化劑上升通道，礦化劑上升通道包括均勻設置的至少2個的上擋板上升通孔(6-2)；所述礦化劑上升通道位于礦化劑下降通道的外圍；

在下擋板(3)上分別設有下擋板下降通孔(6-3)和下擋板上升通孔(6-4)；

下擋板下降通孔(6-3)的孔徑和數量與上擋板下降通孔(6-1)的孔徑和數量相同，

下擋板上升通孔(6-4)的孔徑和數量與上擋板上升通孔(6-2)的孔徑和數量相同，

每個下擋板下降通孔(6-3)與每個下擋板上升通孔(6-4)之間的位置關系與每個上擋板下降通孔(6-1)與每個上擋板上升通孔(6-2)之間的位置關系相同；

相對應的上擋板下降通孔(6-1)和下擋板下降通孔(6-3)的正投影與上擋板(1)軸心線的夾角為大于0°～小于90°。

2.根據權利要求1所述的用于水熱溫差法晶體生長的雙層旋轉內擋板，其特征是：

在上擋板(1)的邊緣處均勻設置至少2套的定位支架組件(5)，所述定位支架組件(5)用于調整上擋板(1)的軸心線與水熱高壓釜內腔的軸心線相重合，上擋板(1)與水熱高壓釜內腔側壁之間形成間隙。

3.根據權利要求2所述的用于水熱溫差法晶體生長的雙層旋轉內擋板，其特征是：每套定位支架組件(5)包括一個定位支架以及與定位支架螺紋相連的螺釘(51)，定位支架與上擋板(1)固定相連，通過調整螺釘(51)使上擋板(1)與水熱高壓釜內腔側壁的空隙均勻。

4.根據權利要求2或3所述的用于水熱溫差法晶體生長的雙層旋轉內擋板，其特征是：

上擋板下降通孔(6-1)的孔面積之和稱為高壓釜下降對流截面積；

上擋板上升通孔(6-2)的孔面積以及上擋板(1)和水熱高壓釜內腔側壁之間形成的間隙面積之和稱為高壓釜上升對流截面積；

高壓釜下降對流截面積和高壓釜上升對流截面積之和占水熱高壓釜內腔橫截面面積的5％-8％。

5.根據權利要求4所述的用于水熱溫差法晶體生長的雙層旋轉內擋板，其特征是：

高壓釜下降對流截面積＝高壓釜上升對流截面積。

6.根據權利要求5所述的用于水熱溫差法晶體生長的雙層旋轉內擋板，其特征是：

擋板連接柱(2)與上擋板(1)、下擋板(3)均通過螺紋相連。

7.根據權利要求6所述的用于水熱溫差法晶體生長的雙層旋轉內擋板，其特征是：

上擋板(1)與下擋板(3)之間的可調距離為80-150mm。

8.根據權利要求7所述的用于水熱溫差法晶體生長的雙層旋轉內擋板，其特征是：

在上擋板(1)的上表面設有用于連接籽晶架的籽晶架連接支架(4)。

9.根據權利要求1～8任一所述的用于水熱溫差法晶體生長的雙層旋轉內擋板，其特征是：

每圈礦化劑下降通道包括均勻設置的4個上擋板下降通孔(6-1)，一圈礦化劑上升通道包括均勻設置的4個上擋板上升通孔(6-2)；

相對應的上擋板下降通孔(6-1)和下擋板下降通孔(6-3)的正投影與上擋板(1)軸心線的夾角為5°～45°。

10.根據權利要求1～9任一所述的用于水熱溫差法晶體生長的雙層旋轉內擋板，其特征是：

上擋板下降通孔(6-1)的孔徑為10～30mm；

上擋板上升通孔(6-2)的孔徑為10～30mm。