[發(fā)明專利]一種新型法布里-珀羅可調(diào)諧濾波器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011469525.1 | 申請(qǐng)日： | 2020-12-15 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112629660A | 公開（公告）日： | 2021-04-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黃清偉;候海港;黃穎璞 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 鎮(zhèn)江愛豪科思電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G01J3/28 | 分類號(hào)： | G01J3/28;G02B26/00 |
| 代理公司： | 南京智造力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32382 | 代理人： | 田玉菲 |
| 地址： | 212009 江蘇省*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 新型 法布里 珀羅可 調(diào)諧 濾波器 | ||
1.一種新型法布里-珀羅可調(diào)諧濾波器，其特征在于，所述法布里-珀羅可調(diào)諧濾波器包括三大部分，第一部分為基底，第二部分為可移動(dòng)薄層，第三部分為調(diào)諧腔；
所述的第一部分基底為單晶硅；在硅基底上表面鍍制有金屬電極；在硅基底上表面鍍制有鍺(Ge)/一氧化硅(SiO)交替沉積構(gòu)成的反射層；在硅基底下表面鍍制有一氧化硅(SiO)薄膜構(gòu)成的增透層；
所述的第二部分可移動(dòng)薄層為單晶硅；在可移動(dòng)硅薄膜上表面鍍制有一氧化硅(SiO)薄膜構(gòu)成的增透層；在可移動(dòng)硅薄膜下表面鍍制有鍺(Ge)/一氧化硅(SiO)交替沉積構(gòu)成的反射層；
所述的第二部分可移動(dòng)薄層采用一種雙折疊懸臂梁結(jié)構(gòu)，并對(duì)其懸臂梁刻蝕形成矩形槽；
所述的第三部分調(diào)諧腔為空氣腔，位于基底與可移動(dòng)薄層之間。
2.如權(quán)利要求1所述的一種新型法布里-珀羅可調(diào)諧濾波器，其特征在于，所述的金屬電極為金層，通過磁控濺射法制備。
3.如權(quán)利要求1所述的一種新型法布里-珀羅可調(diào)諧濾波器，其特征在于，所述的反射層膜系結(jié)構(gòu)為Sub/LHLHLH，Sub代表硅基底，H和L分別代表膜層Ge(高折射率材料層)和膜層SiO(低折射率材料層)的一個(gè)1/4中心波長(zhǎng)光學(xué)厚度，中心波長(zhǎng)λ＝4260nm，1H＝(4nHd)/λ；1L＝(4nLd)/λ，膜層均采用真空熱蒸發(fā)方法制備。
4.如權(quán)利要求1所述的一種新型法布里-珀羅可調(diào)諧濾波器，其特征在于，所述的一氧化硅(SiO)薄膜的增透層，采用真空熱蒸發(fā)方法制備，厚度為1/4中心波長(zhǎng)光學(xué)厚度，中心波長(zhǎng)λ＝4260nm。
5.如權(quán)利要求1所述的一種新型法布里-珀羅可調(diào)諧濾波器，其特征在于，所述的第二部分可移動(dòng)薄層，厚度為3微米；矩形槽，槽長(zhǎng)為5μm，槽寬為1μm，槽深為1μm。
6.如權(quán)利要求1所述的一種新型法布里-珀羅可調(diào)諧濾波器，其特征在于，所述的空氣腔深度為2.5微米，由焊接鍵合工藝制備得到或通過干法刻蝕工藝刻蝕單晶硅基底上的犧牲層得到，可實(shí)現(xiàn)3-5微米波段光譜選擇透過。
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