[發(fā)明專利]一種肖特基二極管

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011468523.0
• 申請(qǐng)日: 2020-12-14
• 公開（公告）號(hào): CN112563337A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 左瑜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安科銳盛創(chuàng)新科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/872
• 分類號(hào): H01L29/872;H01L29/165;H01L21/329
• 代理公司: 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230
• 代理人: 王海棟

1.一種肖特基二極管，其特征在于，應(yīng)用于2.45GHz弱能量密度收集，包括：

Si襯底(001)；

第一Ge層(002)，設(shè)置于所述Si襯底(001)的上表面；

第二Ge層(003)，設(shè)置于所述第一Ge層(002)的上表面；

n⁺DR-GeSn層(004)，設(shè)置于所述第二Ge層(003)的上表面；

n^-DR-GeSn層(005)，設(shè)置于所述n⁺DR-GeSn層(004)上表面的第一區(qū)域內(nèi)；

100晶向的Ge帽層(006)，設(shè)置于所述n^-DR-GeSn層(005)的上表面；

第一電極(007)，設(shè)置于所述Ge帽層(006)的上表面；

第二電極(008)，設(shè)置于所述n⁺DR-GeSn層(004)上表面的第二區(qū)域內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于：

所述第一Ge層(002)的制備溫度為275℃～325℃，厚度為100-200nm；

所述第二Ge層(003)的制備溫度為500℃～600℃，厚度為300-400nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于：

所述n⁺DR-GeSn層(004)是由第一DR-GeSn層經(jīng)P離子注入得到的，所述n⁺DR-GeSn層(004)的P離子的摻雜濃度為1×10²⁰cm^-3，其中，所述第一DR-GeSn層設(shè)置于所述第二Ge層(003)上表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的肖特基二極管，其特征在于：

所述第一DR-GeSn層厚度為500-700nm，制備氣源為SnD₄和Ge₂H₆。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的肖特基二極管，其特征在于：

所述第一DR-GeSn層中Sn比例為10％。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于：

所述n^-DR-GeSn層(005)是由第二DR-GeSn層經(jīng)P離子注入得到的，所述n^-DR-GeSn層(005)的P離子的摻雜濃度為3×10¹⁷cm^-3，其中，所述第二DR-GeSn層設(shè)置于所述n⁺DR-GeSn層(004)上表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的肖特基二極管，其特征在于：

所述第二DR-GeSn層厚度為700-800nm，制備氣源為SnD₄和Ge₂H₆。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的肖特基二極管，其特征在于：

所述第二DR-GeSn層中Sn比例為10％。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于：

所述Ge帽層(006)的厚度為10nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于：

所述第一電極(007)的材料為金屬W，所述第二電極(008)的材料為金屬Al，所述第一電極(007)和所述第二電極(008)的厚度為20nm。