[發明專利]一種量子場強探頭和微波場強測量方法

在審

• 申請號: 202011467511.6
• 申請日: 2020-12-14
• 公開（公告）號: CN112595899A
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: 靳剛;成永杰;劉星汛;黃承祖;彭博;付子豪;代明珍;齊萬泉
• 申請（專利權）人: 北京無線電計量測試研究所
• 主分類號: G01R29/08
• 分類號: G01R29/08
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 南霆

1.一種量子場強探頭，其特征在于，包括順序連接的第一暗箱、第二暗箱、第三暗箱；

第一暗箱和第二暗箱通過第一光孔連接；第二暗箱和第三暗箱通過第二光孔連接；

第一暗箱中，包含第一準直透鏡、第二準直透鏡、第一二向色鏡；第一暗箱壁裝有第一光纖法蘭盤、第二光纖法蘭盤；第一暗箱中的光路為：從第一光纖法蘭盤接入的光經第一準直透鏡、第一二向色鏡、第一光孔進入第二暗箱；從第一光孔進入第一暗箱的光經過第一二向色鏡、第二準直透鏡、第二光纖法蘭盤輸出；

第三暗箱中，包含第三準直透鏡、第四準直透鏡、第二二向色鏡；第二暗箱壁裝有第三光纖法蘭盤、第四光纖法蘭盤；第二暗箱中的光路為，從第三光纖法蘭盤接入的光經過第三準直透鏡、第二二向色鏡、第二光孔進入第二暗箱；從第二光孔進入第二暗箱的光經過第二二向色鏡、第四準直透鏡、第四光纖法蘭盤輸出；

第二暗箱中，包含第一1/2波片、原子蒸氣室、第二1/2波片；自第一光孔進入第二暗箱的光經過第一1/2波片、原子蒸氣室、第二1/2波片、第二光孔進入第三暗箱；自第二光孔進入第三暗箱的光經過第二1/2波片、原子蒸氣室、第一1/2波片、第一光孔進入第一暗箱。

2.如權利要求1所述量子場強探頭，其特征在于，所述第一暗箱、第二暗箱、第三暗箱的殼體為聚四氟乙烯材料。

3.如權利要求1所述量子場強探頭，其特征在于，所述第二暗箱內包含用于固定原子蒸氣室的支撐結構。

4.如權利要求3所述量子場強探頭，其特征在于，所述第二暗箱內包含轉接桿，用于將第一1/2波片和第二1/2波片分別固定連接在支撐結構上。

5.如權利要求1～4任意一項所述的量子場強探頭，其特征在于，所述第一光孔、第一1/2波片、原子蒸氣室、第二1/2波片、第二光孔同心。

6.如權利要求1～4任意一項所述的量子場強探頭，其特征在于，所述第一暗箱、第二暗箱、第三暗箱一體形成，包含非金屬材料殼體和蓋板。

7.如權利要求1～4任意一項所述的量子場強探頭，其特征在于，所述原子蒸氣室采用銫原子蒸氣室。

8.如權利要求1～4任意一項所述的量子場強探頭，當探測光自第一光纖法蘭盤接入、耦合光自第四光纖法蘭盤接入時，探測光自第二光孔進入第三暗箱、耦合光自第一光孔進入第一暗箱，其特征在于，所述第一二向色鏡為探測光高透、耦合光高反二向色鏡。

9.如權利要求1～4任意一項所述的量子場強探頭，其特征在于，，當探測光自第一光纖法蘭盤接入、耦合光自第四光纖法蘭盤接入時，探測光自第二光孔進入第三暗箱、耦合光自第一光孔進入第一暗箱，其特征在于，所述第二二向色鏡為探測光高反、耦合光高透二向色鏡。

10.一種微波場強測量方法，用權利要求1～9任意一項所述的量子場強探頭，其特征在于，包含以下步驟：

自第一光纖法蘭盤接入探測光，經第三光纖法蘭盤輸出；

自第四光纖法蘭盤接入耦合光，經第二光纖法蘭盤輸出；

通過原子蒸氣室，利用里德堡原子的量子效應，進行微波場強測量。