[發(fā)明專利]一種肖特基二極管及整流電路

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011467456.0
• 申請日: 2020-12-14
• 公開（公告）號: CN112635578A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 左瑜
• 申請（專利權(quán)）人: 西安科銳盛創(chuàng)新科技有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/165;H01L21/329
• 代理公司: 西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230
• 代理人: 王海棟

1.一種肖特基二極管，其特征在于，包括：

[111]晶向GeOI襯底(001)；

復(fù)合層(003)，所述復(fù)合層(003)為在所述GeOI襯底頂層Ge的第一區(qū)域的上表面先生長Sn層，然后對所述Sn層及其下部的頂層Ge激光再晶化后形成；

第一金屬電極(004)，設(shè)置于所述復(fù)合層(003)的上表面；

第二金屬電極(005)，設(shè)置于所述GeOI襯底頂層Ge的第二區(qū)域(002)的上表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述頂層Ge、所述復(fù)合層(003)的厚度均為300nm～500nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述復(fù)合層(003)的材料為DR-Ge_1-xSn_x。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的肖特基二極管，其特征在于，所述復(fù)合層(003)內(nèi)注入有N型離子，摻雜濃度為1×10¹⁹cm^-3；所述第二區(qū)域(002)內(nèi)注入有N型離子，摻雜濃度為2x10¹⁷cm^-3～3x10¹⁷cm^-3。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的肖特基二極管，其特征在于，所述第一金屬電極(004)為Al電極，所述第二金屬電極(005)為W電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的肖特基二極管，其特征在于，所述第一金屬電極(004)，第二金屬電極(005)的厚度均為70～90nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的肖特基二極管，其特征在于，還包括凹槽(006)，所述凹槽(006)設(shè)置于所述GeOI襯底(001)上，且位于所述第一金屬電極(004)和所述第二金屬電極(005)之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的肖特基二極管，其特征在于，所述凹槽(006)的深度為50～150um，且所述凹槽(006)內(nèi)填充有絕緣材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的肖特基二極管，其特征在于，所述凹槽(006)的底面至所述頂層Ge的底面之間的橫截面積小于所述第二金屬電極(005)的底面面積。

10.一種整流電路，其特征在于，包括權(quán)利要求1～9任一項所述的肖特基二極管。