[發(fā)明專(zhuān)利]一種弱能量收集用肖特基二極管

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011467444.8
• 申請(qǐng)日: 2020-12-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112563336A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 左瑜
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 西安科銳盛創(chuàng)新科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/872
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/872;H01L29/165;H01L29/47;H01L21/329
• 代理公司: 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230
• 代理人: 王海棟

1.一種弱能量收集用肖特基二極管，其特征在于，應(yīng)用于2.45GHz弱能量密度收集，包括：

110晶向的Si襯底(001)；

第一Ge緩沖層(002)，設(shè)置于所述Si襯底(001)的上表面；

n⁺Ge層(003)，設(shè)置于所述第一Ge緩沖層(002)的上表面；

n^-Ge層(004)，設(shè)置于所述n⁺Ge層(003)上表面的第一區(qū)域內(nèi)，其中，所述n^-Ge層(004)的上表面設(shè)置有倒梯形的凹槽，所述倒梯形的斜邊與法線夾角為40～60°；

第一電極(005)，設(shè)置于所述n^-Ge層(004)的凹槽內(nèi)；

第二電極(006)，設(shè)置于所述n⁺Ge層(003)上表面的第二區(qū)域內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的弱能量收集用肖特基二極管，其特征在于：

所述第一Ge緩沖層(002)的制備溫度為275～325℃，厚度為0.15～0.2μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的弱能量收集用肖特基二極管，其特征在于：

所述n⁺Ge層(003)是對(duì)第二Ge緩沖層進(jìn)行P離子注入得到的，其中，所述第二Ge緩沖層生長(zhǎng)于所述第一Ge緩沖層(002)上表面，所述第二Ge緩沖層的制備溫度為500～850℃，厚度為0.4～0.5μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的弱能量收集用肖特基二極管，其特征在于：

所述n⁺Ge層(003)的P離子摻雜濃度為2.0×10²⁰cm^-3。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的弱能量收集用肖特基二極管，其特征在于：

所述n^-Ge層(004)的厚度為1μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的弱能量收集用肖特基二極管，其特征在于：

所述n^-Ge層(004)的P離子摻雜濃度為3.0×10¹⁷cm^-3。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的弱能量收集用肖特基二極管，其特征在于：

所述倒梯形的斜邊與法線夾角為45°。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的弱能量收集用肖特基二極管，其特征在于：

所述凹槽的深度為400～600nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的弱能量收集用肖特基二極管，其特征在于：

所述第一電極(005)的材料為金屬W，超出所述n^-Ge層(004)上表面的厚度為50nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的弱能量收集用肖特基二極管，其特征在于：

所述第二電極(006)的材料為金屬Al，厚度為30nm。