[發明專利]一種復合半導體肖特基二極管

在審

• 申請號: 202011467441.4
• 申請日: 2020-12-14
• 公開（公告）號: CN112635577A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 左瑜
• 申請（專利權）人: 西安科銳盛創新科技有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/165;H01L29/04;H01L21/329
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 王海棟

1.一種復合半導體肖特基二極管，其特征在于，應用于2.45GHz弱能量密度收集，包括：

Si襯底(001)；

第一Ge層(002)，設置于所述Si襯底(001)的上表面；

第二Ge層(003)，設置于所述第一Ge層(002)的上表面；

n+GePb層(004)，設置于所述第二Ge層(003)的上表面；

n-GePb層(005)，設置于所述n⁺GePb層(004)上表面的第一區域內；

111晶向的Ge帽層(006)，設置于所述n^-GePb層(005)的上表面；

第一電極(007)，設置于所述Ge帽層(006)的上表面；

第二電極(008)，設置于所述n⁺GePb層(004)上表面的第二區域內。

2.根據權利要求1所述的復合半導體肖特基二極管，其特征在于：

所述第一Ge層(002)的制備溫度為275℃～325℃，厚度為100-200nm；

所述第二Ge層(003)的制備溫度為500℃～600℃，厚度為300-400nm。

3.根據權利要求1所述的復合半導體肖特基二極管，其特征在于：

所述n⁺GePb層(004)是由第一GePb層經P離子注入得到的，所述n⁺GePb層(004)的P離子的摻雜濃度為1×10¹⁹cm^-3，其中，所述第一GePb層設置于所述第二Ge層(003)上表面。

4.根據權利要求3所述的復合半導體肖特基二極管，其特征在于：

所述第一GePb層厚度為500-700nm，制備靶源為Pb和Ge。

5.根據權利要求4所述的復合半導體肖特基二極管，其特征在于：

所述第一GePb層中Pb的比例為2％。

6.根據權利要求1所述的復合半導體肖特基二極管，其特征在于：

所述n^-GePb層(005)是由第二GePb層經P離子注入得到的，所述n^-GePb層(005)的P離子的摻雜濃度為3×10¹⁷cm^-3，其中，所述第二GePb層設置于所述n⁺GePb層(004)上表面。

7.根據權利要求6所述的復合半導體肖特基二極管，其特征在于：

所述第二GePb層厚度為700-800nm，制備靶源為Pb和Ge。

8.根據權利要求7所述的復合半導體肖特基二極管，其特征在于：

所述第二GePb層中Pb的比例為2％。

9.根據權利要求1所述的復合半導體肖特基二極管，其特征在于：

所述Ge帽層(006)的厚度為10nm。

10.根據權利要求1所述的復合半導體肖特基二極管，其特征在于：

所述第一電極(007)的材料為金屬W，所述第二電極(008)的材料為金屬Al，所述第一電極(007)和所述第二電極(008)的厚度為20nm。