[發明專利]一種復合半導體肖特基二極管及弱能量收集用整流電路

在審

• 申請號: 202011467432.5
• 申請日: 2020-12-14
• 公開（公告）號: CN112614897A
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 左瑜
• 申請（專利權）人: 西安科銳盛創新科技有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/165;H01L21/329
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 王海棟

1.一種復合半導體肖特基二極管，其特征在于，包括：

SiGeOI襯底(001)；

復合層(003)，所述復合層(003)為在所述SiGeOI襯底頂層SiGe的第一區域的上表面先生長Sn層，然后對所述Sn層及其下部的頂層SiGe激光再晶化后形成；

第一金屬電極(004)，設置于所述復合層(003)的上表面；

第二金屬電極(005)，設置于所述SiGeOI襯底頂層SiGe的第二區域(002)的上表面。

2.根據權利要求1所述的復合半導體肖特基二極管，其特征在于，所述頂層SiGe、所述復合層(003)的厚度均為300nm～500nm。

3.根據權利要求1所述的復合半導體肖特基二極管，其特征在于，所述SiGeOI襯底(001)為[110]晶向Si_0.1Ge_0.9OI襯底。

4.根據權利要求1所述的復合半導體肖特基二極管，其特征在于，所述復合層(003)的材料為Si_0.1Ge_0.8Sn_0.1。

5.根據權利要求1所述的復合半導體肖特基二極管，其特征在于，所述復合層(003)內注入有N型離子，摻雜濃度為1×10¹⁹cm^-3；所述第二區域(002)內注入有N型離子，摻雜濃度為2x10¹⁷cm^-3～3x10¹⁷cm^-3。

6.根據權利要求5所述的復合半導體肖特基二極管，其特征在于，所述第一金屬電極(004)為Al電極，所述第二金屬電極(005)為W電極。

7.根據權利要求6所述的復合半導體肖特基二極管，其特征在于，還包括凹槽(006)，所述凹槽(006)設置于所述SiGeOI襯底(001)上，且位于所述第一金屬電極(004)和所述第二金屬電極(005)之間。

8.根據權利要求7所述的復合半導體肖特基二極管，其特征在于，所述凹槽(006)的深度為50～150um，且所述凹槽(006)內填充有絕緣材料。

9.根據權利要求8所述的復合半導體肖特基二極管，其特征在于，所述凹槽(006)的底面至所述頂層SiGe的底面之間的橫截面積小于所述第二金屬電極的底面面積。

10.一種弱能量收集用整流電路，其特征在于，包括權利要求1～9任一項所述的復合半導體肖特基二極管。