[發明專利]弱能量收集用鍺錫肖特基二極管、弱能量收集電路和天線在審
| 申請號： | 202011467431.0 | 申請日： | 2020-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN112563334A | 公開（公告）日： | 2021-03-26 |
| 發明（設計）人： | 左瑜 | 申請（專利權）人： | 西安科銳盛創新科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/165;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王海棟 |
| 地址： | 710065 陜西省西安市高新區高新路86號*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 能量 收集 用鍺錫肖特基 二極管 電路 天線 | ||
1.一種弱能量收集用鍺錫肖特基二極管，其特征在于，包括：
襯底；
低溫Ge緩沖層，形成于所述襯底的上表面；
高溫Ge緩沖層，形成于所述低溫Ge緩沖層的上表面；
n+DR-Ge1-xSnx層，形成于所述高溫Ge緩沖層的上表面；其中，0.08≤x≤0.12；
n-DR-Ge1-xSnx層，形成于所述n+DR-Ge1-xSnx層的上表面的一端；其中，0.08≤x≤0.12；
Si帽層，形成于所述n-DR-Ge1-xSnx層的上表面；
第一電極，形成于所述Si帽層的上表面；
第二電極，形成于所述n+DR-Ge1-xSnx層的上表面的另一端。
2.根據權利要求1所述的弱能量收集用鍺錫肖特基二極管，其特征在于，所述襯底為110晶向的Si襯底。
3.根據權利要求1所述的弱能量收集用鍺錫肖特基二極管，其特征在于，所述低溫Ge緩沖層在275-325℃溫度下形成，厚度為150-200nm。
4.根據權利要求1所述的弱能量收集用鍺錫肖特基二極管，其特征在于，所述高溫Ge緩沖層在500-600℃溫度下形成，厚度為400-500nm。
5.根據權利要求1所述的弱能量收集用鍺錫肖特基二極管，其特征在于，所述n+DR-Ge1-xSnx層是利用RPCVD工藝，在300℃溫度下，以SnD4和Ge2H6作為氣源，在H2氛圍下形成后，再注入摻雜濃度為1×1019cm-3的P離子形成；厚度為500-700nm。
6.根據權利要求1所述的弱能量收集用鍺錫肖特基二極管，其特征在于，所述n-DR-Ge1-xSnx層是利用RPCVD工藝，在300℃溫度下，以SnD4和Ge2H6作為氣源，在H2氛圍下形成后，再注入摻雜濃度為3×1017cm-3的P離子形成；厚度為800-900nm。
7.根據權利要求1所述的弱能量收集用鍺錫肖特基二極管，其特征在于，所述Si帽層的厚度為10nm。
8.根據權利要求1所述的弱能量收集用鍺錫肖特基二極管，其特征在于，所述第一電極為W金屬陽極，所述第二電極為Al金屬陰極。
9.一種弱能量收集電路，其特征在于，包括權利要求1～8任一項所述的弱能量收集用鍺錫肖特基二極管。
10.一種弱能量收集天線，其特征在于，包括權利要求9所述的弱能量收集電路。
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