[發明專利]微流體反應裝置及微流體反應驅動方法有效
| 申請號: | 202011464345.4 | 申請日: | 2020-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN112675798B | 公開(公告)日: | 2022-11-08 |
| 發明(設計)人: | 林柏全;席克瑞;李偉;歐陽珺婷;粟平;秦鋒 | 申請(專利權)人: | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | B01L3/00 | 分類號: | B01L3/00 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 尹紅敏 |
| 地址: | 200120 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 流體 反應 裝置 驅動 方法 | ||
1.一種微流體反應裝置,其特征在于,所述微流體反應裝置具有多個溫區,所述微流體反應裝置包括:
沿所述微流體厚度方向間隔設置的第一基板和第二基板;
第一電極層,設置于所述第一基板朝向所述第二基板的一側,所述第一電極層包括多個第一電極;
第一疏水層,設置于所述第一電極層背離所述第一基板的一側;
第二疏水層,設置于所述第二基板朝向所述第一疏水層的一側,且所述第二疏水層和所述第一疏水層間隔分布,在所述第一疏水層和所述第二疏水層之間形成用于容納液滴的容納空間;
第二電極層,設置于所述第二基板朝向所述第二疏水層的一側,所述第二電極層包括多個相互獨立設置的第二電極,各所述第二電極分別位于各所述溫區;
加熱層,設置于所述第二電極層和所述第二基板之間,所述加熱層包括加熱電極,所述加熱電極為多個,各所述加熱電極分別位于各所述溫區。
2.根據權利要求1所述的微流體反應裝置,其特征在于,還包括:薄膜晶體管,通過連接導線連接于所述第一電極并用于控制所述第一電極的工作狀態。
3.根據權利要求2所述的微流體反應裝置,其特征在于,
所述第一基板上還設置有掃描線和數據線;
所述薄膜晶體管的柵極連接于所述掃描線,所述薄膜晶體管的漏極連接于所述數據線,所述薄膜晶體管的源極連接于所述第一電極。
4.根據權利要求2所述的微流體反應裝置,其特征在于,還包括:測溫單元,位于所述第一電極層朝向所述第一基板的一側。
5.根據權利要求4所述的微流體反應裝置,其特征在于,所述測溫單元包括:
第一測溫電極;
碲化鉍層,位于所述第一測溫電極背離所述第一電極層一側;
第二測溫電極,位于所述碲化鉍層背離所述第一測溫電極一側,所述第一測溫電極和所述第二測溫電極通過所述碲化鉍層相互連接。
6.根據權利要求5所述的微流體反應裝置,其特征在于,
各所述溫區內設置有一個所述測溫單元;
或者,各所述溫區內設置有兩個及以上相互獨立的所述測溫單元。
7.根據權利要求6所述的微流體反應裝置,其特征在于,所述第二測溫電極與所述薄膜晶體管的源極和漏極同層設置。
8.根據權利要求7所述的微流體反應裝置,其特征在于,所述第一測溫電極和所述第二測溫電極均為多個,各所述第一測溫電極和各所述第二測溫電極分別對應設置,多個所述第一測溫電極相互連接和/或多個所述第二測溫電極相互連接;
單個所述第一測溫電極在所述第一基板上的正投影分別與單個所述第一電極在所述第一基板上的正投影交疊設置,且各所述第一測溫電極與連接導線錯位設置。
9.根據權利要求8所述的微流體反應裝置,其特征在于,
多個所述第一測溫電極通過第一信號線相互連接;
和/或,同一所述溫區內,同一列的所述第二測溫電極通過第二信號線相互連接,所述第二信號線的個數為兩個以上,兩個以上的所述第二信號線相互連接。
10.根據權利要求7所述的微流體反應裝置,其特征在于,
所述測溫單元包括一個所述第一測溫電極,所述第一測溫電極在所述第一基板上的正投影和兩個以上所述第一電極在所述第一基板上的正投影相互交疊,所述第一測溫電極上設置有第一讓位孔,所述連接導線經由所述第一讓位孔連接于所述第一電極和所述薄膜晶體管之間;
所述第二測溫電極為一個,第二測溫電極上設置有第二讓位孔,數據線、所述源極和所述漏極設置于所述第二讓位孔內;或者,所述第二測溫電極可為兩個以上,各所述第二測溫電極分別位于相鄰的兩條所述數據線之間、且所述第二測溫電極與所述源極和漏極錯位設置。
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