[發(fā)明專利]一種工業(yè)封裝用超高阻隔薄膜及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011464132.1
• 申請(qǐng)日: 2020-12-14
• 公開（公告）號(hào): CN112724444A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 秦麗麗;王小軍;馮煜東;何丹;董茂進(jìn);王毅;王冠;蔡宇宏;夏成明;韓仙虎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘭州空間技術(shù)物理研究所
• 主分類號(hào): C08J7/06
• 分類號(hào): C08J7/06;C08J7/048;C08L67/02;C08L69/00;C08L33/14
• 代理公司: 北京理工大學(xué)專利中心 11120
• 代理人: 田亞琪

1.一種工業(yè)封裝用超高阻隔薄膜，其特征在于，所述薄膜以聚酯類柔性襯底為基底層，在基底層上沉積有若干層丙烯酸酯層、若干層金屬納米層和若干層陶瓷阻隔層；所述若干層丙烯酸酯層、若干層金屬納米層和若干層陶瓷阻隔層為交替層疊；所述丙烯酸酯層是通過濕法涂布制備而成；所述金屬納米層是通過磁控濺射制備而成；所述陶瓷阻隔層通過PECVD技術(shù)制備而成。

2.如權(quán)利要求1所述的一種工業(yè)封裝用超高阻隔薄膜，其特征在于，所述薄膜從基底層向上依次為第一陶瓷阻隔層、第一金屬納米層、第一丙烯酸酯層、第二陶瓷阻隔層、第二金屬納米層、第二丙烯酸酯層。

3.如權(quán)利要求1或2所述的一種工業(yè)封裝用超高阻隔薄膜，其特征在于，所述的基底層為PET、PC、PMMA、PEN中的一種。

4.如權(quán)利要求1或2所述的一種工業(yè)封裝用超高阻隔薄膜，其特征在于，所述基底層厚度介于6um～125um之間，更優(yōu)為介于12um～125um之間，最優(yōu)為介于50um～125um之間。

5.如權(quán)利要求1或2所述的一種工業(yè)封裝用超高阻隔薄膜，其特征在于，所述的丙烯酸酯層厚度為1um～3um之間。

6.如權(quán)利要求1或2所述的一種工業(yè)封裝用超高阻隔薄膜，其特征在于，所述金屬納米層金屬材料選自Ag、Cu、Cr、Ti、NiCr中的一種。

7.如權(quán)利要求1或2所述的一種工業(yè)封裝用超高阻隔薄膜，其特征在于，所述金屬納米層厚度為2～8nm，優(yōu)選為2～6nm。

8.如權(quán)利要求1或2所述的一種工業(yè)封裝用超高阻隔薄膜，其特征在于，所述陶瓷阻隔層的材料選自氮化鋁、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一種。

9.如權(quán)利要求1或2所述的一種工業(yè)封裝用超高阻隔薄膜，其特征在于，所述陶瓷阻隔層的厚度10～65nm，優(yōu)選為15～60nm。

10.一種工業(yè)封裝用超高阻隔薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、提供一基膜；

步驟二、于基膜上采用等離子化學(xué)氣相沉積法形成一層陶瓷阻隔層；

步驟三、于陶瓷阻隔層上采用磁控濺射法形成一層金屬納米層；

步驟四、于金屬納米層上采用濕法涂布技術(shù)形成一層丙烯酸酯層；

步驟五、于丙烯酸酯層上將步驟二～步驟四的操作重復(fù)一次，最終得到的薄膜自基底層向上依次為第一陶瓷阻隔層、第一金屬納米層、第一丙烯酸酯層、第二陶瓷阻隔層、第二金屬納米層、第二丙烯酸酯層。