[發明專利]CMOS圖像傳感器在審
| 申請號： | 202011463350.3 | 申請日： | 2020-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN112599549A | 公開（公告）日： | 2021-04-02 |
| 發明（設計）人： | 陳翔;許雋;金立培 | 申請（專利權）人： | 華虹半導體（無錫）有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 214028 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | cmos 圖像傳感器 | ||
1.一種CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述CMOS圖像傳感器包括：
像素區，所述像素區包括光電二極管，所述光電二極管上覆蓋有金屬硅化物阻擋層，所述金屬硅化物阻擋層包括富硅氧化物；所述光電二極管源漏區的表層形成耗盡層，所述耗盡層與所述金屬硅化物阻擋層接觸。
2.如權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述像素區包括若干光電二極管，若干所述光電二極管呈陣列式排布。
3.如權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述光電二極管的源漏區包括第一導電類型摻雜區，所述第一導電類型摻雜區的周圍形成第二導電類型摻雜區，位于所述第一導電類型摻雜區上表面的第二導電類型摻雜區為所述耗盡層。
4.如權利要求3所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，通過向所述第一導電類型摻雜區的上表面注入第二導電類型雜質離子，所述第二導電類型雜質離子中和所述第一導電類型摻雜區的表層后，形成所述耗盡層。
5.如權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述耗盡層的厚度為200A至300A。
6.如權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述CMOS圖像傳感器還包括：
邏輯區，所述邏輯區包括第一導電類型器件和第二導電類型器件，所述第一導電類型器件和第二導電類型器件之間間隔有隔離溝槽。
7.如權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述邏輯區上形成有金屬硅化物阻擋層，所述金屬硅化物阻擋層包括富硅氧化物。
8.如權利要求7所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述邏輯區的金屬硅化物阻擋層上刻蝕形成金屬硅化物圖案，在所述金屬硅化物圖案處沉積形成金屬硅化物層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華虹半導體（無錫）有限公司，未經華虹半導體（無錫）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011463350.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
