[發(fā)明專利]半導(dǎo)體檢測裝置及檢測方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011462503.2 | 申請日: | 2020-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN112485272B | 公開(公告)日: | 2021-11-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李海鵬 | 申請(專利權(quán))人: | 紫創(chuàng)(南京)科技有限公司 |
| 主分類號: | G01N21/956 | 分類號: | G01N21/956;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 張洋 |
| 地址: | 210000 江蘇省南京市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 檢測 裝置 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體檢測裝置,其特征在于,包括:
晶圓承載裝置,用于承載待測晶圓;
入射光系統(tǒng),用于向所述待測晶圓發(fā)射入射光,所述入射光與第一方向之間具有夾角,所述入射光經(jīng)所述待測晶圓的反射形成反射光,所述第一方向為垂直于所述待測晶圓表面的法線方向,并且,所述入射光系統(tǒng)包括監(jiān)控單元,用于獲取入射光信息,并將所述入射光信息反饋至控制系統(tǒng),所述入射光信息包括第一光功率;
光學(xué)信號分揀系統(tǒng),用于自所述反射光中分揀出基波光信號和諧波光信號;
傳感系統(tǒng),用于接收所述基波光信號,并根據(jù)所述基波光信號獲取位置信息,所述傳感系統(tǒng)還包括功率讀取模塊,用于根據(jù)所述基波光信號獲取第二光功率,并將所述第二光功率發(fā)送至控制系統(tǒng);
諧波信號采集系統(tǒng),用于獲取所述諧波光信號,并將所述諧波光信號傳輸至缺陷檢測單元;
控制系統(tǒng),用于接收所述位置信息,并根據(jù)所述位置信息,在所述第一方向上對所述晶圓承載裝置的高度進行調(diào)整,并且,所述控制系統(tǒng)還包括第二運算單元和缺陷檢測單元,所述第二運算單元用于根據(jù)所述第一光功率和第二光功率,獲取所述待測晶圓的材料的線性光學(xué)特性,所述缺陷檢測單元用于根據(jù)所述諧波光信號獲取所述待測晶圓的缺陷信息。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體檢測裝置,其特征在于,所述傳感系統(tǒng)包括:第一接收模塊,用于接收所述基波光信號;位置信號讀取模塊,用于根據(jù)所接收的基波光信號,獲取所述位置信息。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體檢測裝置,其特征在于,所述控制系統(tǒng)包括:第二接收模塊,所述第二接收模塊用于接收所述位置信息。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體檢測裝置,其特征在于,所述控制系統(tǒng)還包括:第一運算單元,用于根據(jù)所述位置信息計算并獲取移動信息,所述移動信息包括,所述待測晶圓在第一方向上的高度與預(yù)設(shè)高度之間的高度差。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體檢測裝置,其特征在于,所述控制系統(tǒng)還包括:第一位置控制單元,用于接收所述移動信息,并根據(jù)所述移動信息,在所述第一方向上移動所述晶圓承載裝置。
6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體檢測裝置,其特征在于,所述控制系統(tǒng)還包括:比較單元,用于當(dāng)所述位置信息與預(yù)設(shè)位置信息之間的偏差超出偏差范圍時,輸出偏移信號。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體檢測裝置,其特征在于,所述控制系統(tǒng)還包括:第二位置控制單元,用于根據(jù)所述偏移信號在所述第一方向上移動所述晶圓承載裝置。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體檢測裝置,其特征在于,所述控制系統(tǒng)還包括:反饋單元,用于獲取所述晶圓承載裝置的移動信息,并向所述入射光系統(tǒng)發(fā)送入射光控制信息。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體檢測裝置,其特征在于,所述光學(xué)信號分揀系統(tǒng)包括雙色鏡,用于通過所述反射光中的所述基波光信號,并將所述反射光中的諧波光信號向所述諧波信號采集系統(tǒng)反射,或者用于通過所述反射光中的諧波光信號,并將所述反射光中的所述基波光信號向所述傳感系統(tǒng)反射。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體檢測裝置,其特征在于,所述入射光系統(tǒng)包括:光源,用于發(fā)射初始入射光;調(diào)制單元,用于調(diào)制所述初始入射光的光強、偏振參數(shù)和焦距中的一者或多者,以發(fā)出所述入射光。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體檢測裝置,其特征在于,所述晶圓承載裝置包括:承載盤,用于承載待測晶圓;設(shè)置于所述承載盤的固定裝置,用于將待測晶圓固定于所述承載盤;機械移動組件,用于驅(qū)動所述承載盤移動。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體檢測裝置,其特征在于,所述固定裝置為真空吸盤或固定于承載盤邊緣的卡扣。
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G01N 借助于測定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來測試或分析材料
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G01N21-62 .所測試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長發(fā)生變化的系統(tǒng)
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G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)





