[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202011461207.0
• 申請日: 2020-12-08
• 公開（公告）號: CN112510016A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 馮奕程;黃宇恒;陳幫
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/308
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括至少一個半導體基底，至少一個所述半導體基底具有器件區和標記區；

其中，所述器件區中的至少一元器件和所述標記區中的至少一標記均基于同一光罩在同一工藝中形成，以使所述元器件和所述標記均伸入至所述半導體基底中，并且所述標記伸入所述半導體基底的最大深度小于所述元器件伸入所述半導體基底的最小深度。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述元器件伸入所述半導體基底的最小深度為所述標記伸入所述半導體基底的最大深度的N倍，其中，所述N為正整數。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括至少兩個依次對準鍵合設置的半導體基底，每個所述半導體基底中均設有所述標記和所述元器件，至少兩個所述半導體基底中的所述標記在所述半導體基底上的投影至少部分重疊。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述標記的形狀為圓形、方形、三角形、十字形或包括多個由間隙分開的平行線。

5.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

制備至少一個半導體基底，其中，至少一個所述半導體基底具有標記區和器件區；

在所述器件區形成至少一個元器件，同時在所述標記區形成至少一個標記，并使所述標記和所述元器件均伸入所述半導體基底，以及使所述標記伸入所述半導體基底的最大深度大于所述元器件伸入所述半導體基底的最小深度。

6.如權利要求5所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，形成所述標記和所述元器件的方法包括：

在所述半導體基底上形成掩膜材料層；

提供并對準具有至少一個標記圖形和至少一個元器件圖形的掩模版，對所述掩膜材料層執行光刻工藝，以將所述掩模版上的所述標記圖形和所述元器件圖形復制至所述掩膜材料層，以形成圖案化的掩膜層；

以所述掩膜層為掩膜刻蝕所述半導體基底，以在所述半導體基底的所述標記區中形成至少一個標記開口，并在所述器件區形成至少一個元器件開口，所述標記開口的最大深度小于所述元器件開口的最小深度；

在所述標記開口和所述元器件開口內同時形成所述標記和所述元器件。

7.如權利要求6所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述元器件開口的最小深度為所述標記開口的最大深度的N倍，其中N為正整數。

8.如權利要求6所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，在執行所述光刻工藝時，照射到所述標記圖形的光的透過量小于照射到所述元器件圖形的光的透過量。

9.如權利要求8述的半導體器件的制備方法，其特征在于，照射到所述元器件圖形的光的透過量是照射到所述標記圖形的光的透過量的N倍，所述N為正整數。

10.如權利要求6述的半導體器件的制備方法，其特征在于，在執行所述光刻工藝時，所述標記圖形對應的光照能量小于所述元器件圖形對應的光照能量，且所述標記圖形對應的焦距小于所述元件器圖形對應的焦距。

11.如權利要求10述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述元器件圖形對應的光照能量是所述標記圖形對應的光照能量的N倍，及所述元器件圖形對應的焦距是所述標記圖形對應的焦距的N倍，其中，所述N為正整數。

12.如權利要求6所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述掩模版具有多個標記圖形和多個元器件圖形，并且所述多個標記圖形的排布密度小于所述多個元器件圖形的排布密度。

13.如權利要求12所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述多個元件器圖形的排布密度是所述多個標記圖形的排布密度的N倍，其中，所述N為正整數。