[發明專利]一種用于制備光學ZnS材料的CVD設備在審
| 申請號： | 202011460588.0 | 申請日： | 2020-12-11 |
| 公開（公告）號： | CN112663024A | 公開（公告）日： | 2021-04-16 |
| 發明（設計）人： | 錢纁;肖紅濤;張旭;張克宏;黨參;宮月 | 申請（專利權）人： | 中材人工晶體研究院有限公司;北京中材人工晶體研究院有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/44 | 分類號： | C23C16/44;C23C16/30;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 劉繼富;王春偉 |
| 地址： | 100018*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 制備 光學 zns 材料 cvd 設備 | ||
1.一種用于制備光學ZnS材料的CVD設備，包括：沉積爐主體以及分隔設置于所述沉積爐主體內部的第一爐體和第二爐體；
所述第一爐體設置有第一坩堝和沉積腔，所述第二爐體設置有第二坩堝和投料裝置，所述第一坩堝用于盛放鋅，所述第二坩堝用于盛放硫，所述投料裝置用于向所述第二坩堝定時定量投放硫以控制硫的蒸發速率；
所述沉積腔位于第一坩堝的上方，并分別與第一坩堝和第二坩堝通過管路連通。
2.根據權利要求1所述的設備，所述投料裝置包括投料單元和投料控制單元，所述投料控制單元控制位于所述投料單元的出料口處的電磁閥。
3.根據權利要求1所述的設備，所述第一坩堝的材料為石墨，所述第二坩堝的材料為不銹鋼。
4.根據權利要求1所述的設備，所述第一坩堝和所述第二坩堝均設置有加熱單元和溫度控制單元。
5.根據權利要求4所述的設備，所述加熱單元為電爐絲，所述溫度控制單元包括熱電偶、電源和自動控溫裝置。
6.根據權利要求1所述的設備，所述沉積腔中設置有多片沉積基板，所述多片沉積基板豎直且間隔一定距離設置。
7.根據權利要求6所述的設備，所述沉積基板的材料為石墨。
8.根據權利要求1所述的設備，所述沉積腔為長方體狀。
9.根據權利要求1所述的設備，所述沉積爐主體的外壁設置有水套和保護套，水套和保護套之間分布有發熱體、控溫熱偶和保溫層。
10.根據權利要求1所述的設備，還包括真空泵，所述真空泵與所述沉積爐主體通過管路連通。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
