[發(fā)明專利]相控陣列天線裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011460235.0
• 申請日: 2020-12-11
• 公開（公告）號: CN114628916A
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姚阿敏;周嵩林;王紫陽;朱爾霓;李業(yè)振;楊帆
• 申請（專利權(quán)）人: 華為技術(shù)有限公司;清華大學(xué)
• 主分類號: H01Q21/00
• 分類號: H01Q21/00;H01Q1/36;H01Q3/02
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 張影

1.一種相控陣列天線裝置，其特征在于，包括：

第一饋源，用于產(chǎn)生第一電磁波；

第二饋源，用于產(chǎn)生第二電磁波；

天線陣列，包括多個天線單元，所述天線單元包括：

輻射單元；

相位控制器件，集成在所述輻射單元上，用于調(diào)制所述輻射單元；

第一天線單元中經(jīng)過調(diào)制后的輻射單元，用于調(diào)整所述第一電磁波的相位，以生成第一波束，其中，所述第一天線單元屬于所述多個天線單元，且所述第一天線單元中調(diào)制輻射單元的參數(shù)是基于所述第一電磁波確定的；

第二天線單元中經(jīng)過調(diào)制后的輻射單元，用于調(diào)整所述第二電磁波的相位，以生成第二波束，其中，所述第二天線單元屬于所述多個天線單元，且所述第二天線單元中調(diào)制輻射單元的參數(shù)是基于所述第二電磁波確定的。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，第一區(qū)域與第二區(qū)域之間存在交疊區(qū)域；

其中，所述第一區(qū)域包括所述第一天線單元所在的區(qū)域，所述第二區(qū)域包括所述第二天線單元所在的區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，

第三天線單元的相位控制器件，用于根據(jù)所述第一電磁波和所述第二電磁波的入射參數(shù)，確定第一調(diào)制參數(shù)，以及根據(jù)所述第一調(diào)制參數(shù)調(diào)制所述第三天線單元的輻射單元；

所述第三天線單元的輻射單元，用于在所述第一調(diào)制參數(shù)的調(diào)制下，調(diào)整所述第一電磁波的相位，以生成所述第一波束，以及調(diào)整所述第二電磁波的相位，以生成所述第二波束；

其中，所述第三天線單元是所述交疊區(qū)域中的一個天線單元。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的裝置，其特征在于，

所述第一區(qū)域的面積與所述第二區(qū)域的面積相同；

或者，所述第一區(qū)域的面積與所述第二區(qū)域的面積不同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，第一子區(qū)域與第二子區(qū)域間隔分布；

其中，所述第一子區(qū)域?qū)儆谒龅谝惶炀€單元所處區(qū)域，所述第二子區(qū)域?qū)儆谒龅诙炀€單元所處區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，

所述第一子區(qū)域是所述第一天線單元所處區(qū)域的部分區(qū)域或全部區(qū)域；

或，所述第二子區(qū)域是所述第二天線單元所處區(qū)域的部分區(qū)域或全部區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的裝置，其特征在于，

所述第一子區(qū)域的面積與所述第二子區(qū)域的面積相同；

或者，所述第一子區(qū)域的面積與所述第二子區(qū)域的面積不同。