[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202011458404.7
• 申請日: 2020-12-11
• 公開（公告）號: CN112992820A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 森琢郎;古川勝;小田敬雅;佐伯圣司
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/40
• 分類號: H01L23/40;H01L23/08;H01L23/10;H01L23/04
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體裝置，其具有：

基座板；

散熱部件，其配置于所述基座板的下表面；以及

在俯視觀察時呈矩形的樹脂殼體，其配置于所述基座板的上表面，收容半導體元件，

所述樹脂殼體在隔著所述基座板而配置于所述散熱部件的狀態下，通過螺栓而安裝于所述散熱部件，

所述樹脂殼體具有：凹部，其形成于角部并且收容所述螺栓的頭部；安裝用孔，其形成于所述凹部的下側并且供所述螺栓的軸部插入；以及至少1個槽部，其形成于形成所述凹部的內周側的壁部與所述安裝用孔之間，

所述槽部的一端到達所述樹脂殼體的外周端。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述散熱部件呈上表面膨起為圓弧狀的形狀，

所述槽部是從所述樹脂殼體的上表面側向下表面側凹陷的R槽，

所述樹脂殼體的所述角部從所述基座板向外周側凸出，

在所述槽部擴展的狀態下，所述樹脂殼體的所述角部向下方彎曲。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述散熱部件呈上表面膨起為圓弧狀的形狀，

所述槽部是從所述樹脂殼體的下表面側向上表面側凹陷的R槽，

所述樹脂殼體的所述角部從所述基座板向外周側凸出，

在所述槽部變窄的狀態下，所述樹脂殼體的所述角部向下方彎曲。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述散熱部件呈上表面膨起為圓弧狀的形狀，

所述槽部是從所述樹脂殼體的上表面側向下表面側凹陷的R槽和從所述樹脂殼體的下表面側向上表面側凹陷的R槽，

所述樹脂殼體的所述角部從所述基座板向外周側凸出，

在從所述樹脂殼體的上表面側向下表面側凹陷的所述槽部擴展，并且從所述樹脂殼體的下表面側向上表面側凹陷的所述槽部變窄的狀態下，所述樹脂殼體的所述角部向下方彎曲。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置，其中，

具有2個在所述樹脂殼體的至少一個面側形成的所述槽部。