[發(fā)明專利]一種利用硅切割廢料制備高純硅的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011458320.3 | 申請日： | 2020-12-11 |
| 公開（公告）號： | CN112456499B | 公開（公告）日： | 2022-08-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 雷云;李展超;馬文會(huì);羨培帥 | 申請（專利權(quán)）人： | 昆明理工大學(xué) |
| 主分類號： | C01B33/037 | 分類號： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 天津煜博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 12246 | 代理人： | 朱維 |
| 地址： | 650093 云*** | 國省代碼： | 云南;53 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 利用 切割 廢料 制備 高純 方法 | ||
1.一種利用硅切割廢料制備高純硅的方法，其特征在于，具體步驟如下：
（1）將硅切割廢料、造渣劑和無氟無氯渣混合，在惰性氣氛中進(jìn)行造渣精煉，經(jīng)渣硅分離后得到塊狀硅和無氟無氯殘?jiān)凰鲈煸鼊镃aO、SiO2、MgO、Al2O3中的一種或多種，無氟無氯渣為不含氯化物、氟化物和鈉元素的氧化物渣，無氟無氯渣為以CaO-SiO2為主要成分的氧化物渣；
（2）以共晶Al-Si、Ca-Si或Mg-Si合金為精煉劑，將步驟（1）塊狀硅與精煉劑混合后熔化形成過共晶的Al-Si、Ca-Si或Mg-Si熔體，經(jīng)定向凝固、區(qū)域熔煉或晶體生長法對過共晶Al-Si、Ca-Si或Mg-Si熔體中的硅進(jìn)行分離和提純得到超冶金級硅和共晶Al-Si、Ca-Si或Mg-Si合金；
（3）將步驟（2）超冶金級硅經(jīng)真空定向凝固去除雜質(zhì)得到高純硅。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述利用硅切割廢料制備高純硅的方法，其特征在于：步驟（1）硅切割廢料為金剛石線切割硅廢料、碳化硅線切割硅廢料、砂漿切割硅廢料的一種或多種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述利用硅切割廢料制備高純硅的方法，其特征在于：步驟（1）造渣精煉的溫度不低于1773K，時(shí)間為0.5-10h。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述利用硅切割廢料制備高純硅的方法，其特征在于：步驟（2）定向凝固或區(qū)域熔煉中加熱器或樣品的移動(dòng)速度為1-10μm/s，晶體生長法的籽晶桿的移動(dòng)速率1-5mm/min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述利用硅切割廢料制備高純硅的方法，其特征在于：步驟（3）真空定向凝固溫度不低于1723K，移動(dòng)速度為1-10μm/s，真空度 10-3Pa。
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