[發明專利]顯示面板及其制作方法、拼接顯示面板

在審

• 申請號: 202011457843.6
• 申請日: 2020-12-10
• 公開（公告）號: CN112599536A
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: 盧馬才
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/15;H01L29/786;H01L21/77;H01L33/48
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 杜蕾

1.一種顯示面板，其特征在于，包括陣列基板、發光部以及驅動芯片，所述發光部電連接于所述陣列基板的一側，所述驅動芯片電連接于所述陣列基板的另一側；

所述陣列基板包括：

襯底基板，具有第一側和與所述第一側相對的第二側；

顯示電路，設置于所述襯底基板的所述第一側上，所述顯示電路包括TFT層、存儲電容器以及信號走線，所述TFT層包括遮光層、源極層、半導體層、柵極絕緣層以及柵極層；以及

扇出電路，設置于所述襯底基板的所述第二側上，所述扇出走線的一端電連接于所述驅動芯片，所述扇出走線的另一端電連接于所述信號走線；

其中，所述遮光層與所述源極層同層設置，所述半導體層與所述遮光層及所述源極層連接，所述像素電極層與所述半導體層連接。

2.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述陣列基板包括層疊設置的第一金屬層和第二金屬層，所述第一金屬層包括所述遮光層和所述源極層，所述第二金屬層包括所述柵極層，所述柵極絕緣層位于所述第一金屬層和所述第二金屬層之間，所述半導體層位于所述第一金屬層和所述柵極絕緣層之間。

3.根據權利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述第一金屬層和所述柵極絕緣層之間設置有層間介質層，所述層間介質層包括第一過孔和第二過孔，所述半導體層位于所述第一過孔和所述第二過孔內，所述半導體層與所述遮光層通過所述第一過孔連接，所述半導體層與所述柵極層通過所述第二過孔連接。

4.根據權利要求3所述的顯示面板，其特征在于，所述存儲電容器包括絕緣設置的第一金屬電極、第二金屬電極以及像素電極，所述第一金屬層包括所述第一金屬電極，所述第二金屬層包括所述第二金屬電極，所述像素電極與所述半導體層連接；

其中，所述層間介質層對應所述存儲電容器的位置處設置有開口，所述開口在所述襯底基板的正投影覆蓋所述第一金屬電極和所述第二金屬電極在所述襯底基板的正投影。

5.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示電路還包括設置于所述TFT層、所述存儲電容器以及所述信號走線上的第一鈍化層，所述像素電極層位于所述第一鈍化層上，所述第一鈍化層包括第三過孔，所述像素電極層與所述半導體層通過所述第三過孔連接。

6.根據權利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述第一鈍化層與所述TFT層對應的位置處依次層疊設置有第二鈍化層和黑矩陣層，所述第二鈍化層和所述黑矩陣層對準設置，所述第二鈍化層的厚度小于所述第一鈍化層的厚度。

7.一種顯示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

S10：扇出電路形成工序，提供襯底基板，所述襯底基板具有第一側和與所述第一側相對的第二側，在所述襯底基板的所述第二側上形成所述扇出電路；

S20：顯示電路形成工序，在所述襯底基板的所述第一側上形成TFT層、存儲電容器以及信號走線，所述TFT層包括遮光層、源極層、半導體層、柵極絕緣層以及柵極層，所述遮光層和所述源極層同層設置，所述半導體層與所述遮光層及所述源極層連接；

S30：扇出電路連接工序，所述扇出走線的一端電連接于所述驅動芯片，所述扇出走線的另一端電連接于所述信號走線；以及

S40：發光部和驅動芯片綁定工序，在陣列基板的一側上綁定發光部，所述發光部電連接至所述陣列基板，在所述陣列基板的另一側上綁定驅動芯片，所述扇出電路的另一端與所述驅動芯片電連接。

8.根據權利要求7所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述顯示電路形成工序包括在所述第一金屬層和所述柵極絕緣層之間形成層間介質層的步驟。

9.根據權利要求8所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述顯示電路形成工序包括在所述層間介質層對應所述存儲電容器的位置處形成開口的步驟。

10.一種拼接顯示面板，其特征在于，包括多個根據權利要求1～6中任一項所述的顯示面板，多個所述顯示面板拼接形成所述拼接顯示面板。