[發明專利]一種制備高純多晶硅的設備余熱利用系統

在審

• 申請號: 202011457771.5
• 申請日: 2020-12-10
• 公開（公告）號: CN112575371A
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發明（設計）人: 張發云;饒森林;何亮;鄒貴付;熊含夢;陳小會;王發輝;黃雪雯
• 申請（專利權）人: 新余學院
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 南昌金軒知識產權代理有限公司 36129
• 代理人: 殷康明

1.一種制備高純多晶硅的設備余熱利用系統，其特征在于：

包括爐體、均位于所述爐體內的坩堝(2)、加熱器(5)、隔熱層、以及用于利用多余熱量加熱的多余熱量回收加熱組件；

所述爐體內具有加熱區域(18)，所述坩堝(2)以及所述加熱器(5)均位于所述加熱區域(18)；所述加熱器(5)與所述坩堝(2)以及所述隔熱層均為間隔設置，所述加熱器(5)在水平方向上位于所述坩堝(2)與所述隔熱層之間；

所述隔熱層與所述爐體的爐壁(12)貼合固定；

所述隔熱層與所述加熱區域(18)之間具有設定的多余熱量回收區域(16)；

所述多余熱量回收加熱組件包括加熱桶(161)、第一外接管道(162)、以及通過所述第一外接管道(162)外接的且用于回收所述加熱桶(161)加熱的水的儲水桶(163)；

所述加熱桶(161)固定位于在所述多余熱量回收區域(16)，且所述加熱桶(161)與所述隔熱層貼合；

還包括位于所述爐體外的線圈(15)。

2.如權利要求1所述的一種制備高純多晶硅的設備余熱利用系統，其特征在于：

所述多余熱量回收加熱組件還包括套設在所述第一外接管道(162)上的第一電磁閥(1621)；

所述第一電磁閥(1621)與控制器(17)電連接。

3.如權利要求2所述的一種制備高純多晶硅的設備余熱利用系統，其特征在于：

所述第一外接管道(162)呈梯形設置，且所述梯形的上底靠近所述加熱桶(161)，所述梯形的下底靠近所述儲水桶(163)。

4.如權利要求2所述的一種制備高純多晶硅的設備余熱利用系統，其特征在于：

所述多余熱量回收加熱組件還包括第二外接管道(164)、以及第二外接管道(164)；

所述第二外接管道(164)上套接有第二電磁閥(1641)；

所述第二電磁閥(1641)與所述控制器(17)電連接。

5.如權利要求1所述的一種制備高純多晶硅的設備余熱利用系統，其特征在于：

還包括位于所述爐體內且與所述坩堝(2)的底部和側部固定連接的坩堝擋板(3)；

還包括位于所述爐體內且與所述坩堝擋板(3)的底部可拆卸連接的坩堝支撐柱(4)。

6.如權利要求1所述的一種制備高純多晶硅的設備余熱利用系統，其特征在于：

還包括位于所述爐體內且與所述加熱器(5)可拆卸連接的加熱器基座(6)；

所述加熱器基座(6)位于所述加熱器(5)的下方，且所述加熱器基座(6)與所述隔熱層相穿插連接。

7.如權利要求1所述的一種制備高純多晶硅的設備余熱利用系統，其特征在于：

還包括與所述隔熱層固定連接的隔熱層基座(11)；

所述隔熱層基座(11)位于所述爐壁(12)的底部。

8.如權利要求7所述的一種制備高純多晶硅的設備余熱利用系統，其特征在于：

所述隔熱層包括第一隔熱層(8)、第二隔熱層(9)、以及第三隔熱層(10)；

所述第一隔熱層(8)位于所述爐壁(12)的頂部；

所述第二隔熱層(9)位于所述爐壁(12)的側部；

所述第三隔熱層(10)靠近所述爐壁(12)的底部且與所述隔熱層基座(11)貼合固定連接。

9.如權利要求8所述的一種制備高純多晶硅的設備余熱利用系統，其特征在于：

所述第三隔熱層(10)遠離所述爐壁(12)的側部的一端部呈階梯狀；

所述加熱器基座(6)遠離所述加熱器(5)的端部與所述第三隔熱層(10)遠離所述爐壁(12)的側部的一端部相穿插連接。