[發明專利]一種OLED微型顯示結構及其裝置

在審

• 申請號: 202011457572.4
• 申請日: 2020-12-11
• 公開（公告）號: CN112563436A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 孫浩;李牧詞;茆勝
• 申請（專利權）人: 深圳市智聯匯網絡系統企業（有限合伙）
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52
• 代理公司: 上海洞鑒知識產權代理事務所(普通合伙) 31346
• 代理人: 劉少偉

1.一種OLED微型顯示結構，其特征在于，自上而下依次包括：OLED發光層、絕緣層、導電層、接地層、以及硅基層；

所述OLED發光層包括至少含三個顏色子像素的OLED像素；相鄰的兩個所述OLED像素之間具有一定間距并形成間隙區域；所述導電層位于所述間隙區域的正下方，并且與接地層相連接；所述絕緣層位于OLED像素陽極與導電層之間；

相鄰的兩個所述OLED像素之間的陽極共面電容與所述OLED像素陽極和接地層之間的平板對地電容比小于0.1。

2.根據權利要求1所述的一種OLED微型顯示結構，其特征在于，所述陽極共面電容通過以下公式(1)獲得：

其中k通過以下公式(2)獲得：

k＝d/(2w+d)………………(2)

其中，ε為極板間介質的介電常數，w為OLED像素的寬度，d為兩個OLED像素之間的距離，l為OLED像素的長度，K為第一類橢圓積分。

3.根據權利要求1所述的一種OLED微型顯示結構，其特征在于，所述OLED像素陽極和接地層之間的平板對地電容通過以下公式(3)獲得：

C＝εA/D………………(3)

其中，ε為極板間介質的介電常數，A是極板面積，D為絕緣層的距離。

4.根據權利要求3所述的一種OLED微型顯示結構，其特征在于，所述絕緣層的厚度為1.0um-3.0um。

5.根據權利要求1所述的一種OLED微型顯示結構，其特征在于，所述絕緣層的材料為SiO₂、SiN、SiON、Al2O₃、HfO₂和SOG中的一種。

6.根據權利要求1所述的一種OLED微型顯示結構，其特征在于，所述導電層由圖形化的且相互連接的金屬片組成，和接地層之間連接。

7.根據權利要求6所述的一種OLED微型顯示結構，其特征在于，所述金屬片包括氧化鋁、二氧化硅、鈦酸鈣、鈦酸鋇、鈦酸鍶、氮化硅、氧化鈦和氧化鉭介電性能較好的化合物。

8.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-7任一權利要求所述的的OLED微型顯示結構。