[發明專利]分布反饋式激光器的不規則反射鏡結構有效
| 申請號： | 202011457059.5 | 申請日： | 2020-12-10 |
| 公開（公告）號： | CN112688163B | 公開（公告）日： | 2022-07-29 |
| 發明（設計）人： | 宋學穎;明辰;白國人;王磊;林海鵬;陳帥;陳景春;曲迪 | 申請（專利權）人： | 天津華慧芯科技集團有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/12 | 分類號： | H01S5/12;H01S5/06;H01S5/34;H01S5/042;H01S5/22 |
| 代理公司： | 天津市鼎和專利商標代理有限公司 12101 | 代理人： | 蒙建軍 |
| 地址： | 300467 天津市濱海新區生態城*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 分布 反饋 激光器 不規則 反射 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種分布反饋式激光器的不規則反射鏡結構；包括自下而上依次設置的：第一種摻雜的半導體層（101）、反射鏡層（102）、多量子阱有源層（103）、第二種摻雜的半導體層（104）和電極層（105）；其特征在于：
在所述第一種摻雜的半導體層（101）與多量子阱有源層（103）之間設置有反射鏡層（102）；在反射鏡層（102）上設置有兩個槽型反射鏡（1021）。
2.根據權利要求1所述的分布反饋式激光器的不規則反射鏡結構，其特征在于，所述兩個槽型反射鏡（1021）位于激光器脊波導兩邊沿正下方。
3.根據權利要求1所述的分布反饋式激光器的不規則反射鏡結構，其特征在于，所述兩個槽型反射鏡（1021）為V型槽。
4.根據權利要求1或2所述的分布反饋式激光器的不規則反射鏡結構，其特征在于，在所述第一種摻雜的半導體層（101）與第二種摻雜的半導體層（104）外圍覆蓋有絕緣介質（106）。
5.根據權利要求1所述的分布反饋式激光器的不規則反射鏡結構，其特征在于，上述第一種摻雜的半導體層（101）為N型或P型摻雜半導體。
6.根據權利要求1所述的分布反饋式激光器的不規則反射鏡結構，其特征在于，上述第二種摻雜的半導體層（104）為P型或 N型摻雜半導體。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于天津華慧芯科技集團有限公司，未經天津華慧芯科技集團有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011457059.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
