[發(fā)明專利]一種超疏水鈣鈦礦/二氧化硅復(fù)合發(fā)光薄膜及其制備方法和應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011456775.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112457841B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-01-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 謝毅;胡永飛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C09K11/02 | 分類號(hào): | C09K11/02;C09K11/66;H01L33/50 |
| 代理公司: | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人: | 李欣榮;崔友明 |
| 地址: | 430070 湖*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 疏水 鈣鈦礦 二氧化硅 復(fù)合 發(fā)光 薄膜 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種超疏水鈣鈦礦/二氧化硅復(fù)合發(fā)光薄膜的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
1)將PbBr2和堿液攪拌分散于醇溶劑中,混合均勻,得混合液I;
2)將Cs2CO3和正硅酸乙酯攪拌溶解于醇溶劑中,得混合液II;
3)在攪拌狀態(tài)下,將所得混合液II滴加至混合液I中,進(jìn)行攪拌反應(yīng);
4)向步驟3)所得反應(yīng)體系中加入六甲基二硅氮烷,進(jìn)行二次攪拌反應(yīng);
5)將步驟4)所得溶液體系設(shè)置在基底表面,干燥,即得所述超疏水鈣鈦礦/二氧化硅發(fā)光薄膜;
步驟1)~5)采用的操作或反應(yīng)溫度均為室溫;
所述醇溶劑為甲醇、乙醇、異丙醇中的一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述堿液為氨水或氫氧化鈉溶液,其中氨水的質(zhì)量濃度為25~29%,氫氧化鈉溶液的濃度為1~2mol/L。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟1)中所述PbBr2、堿液、醇溶劑的質(zhì)量比為1:(1~50):(50~600);步驟2)中所述Cs2CO3、醇溶劑、TEOS的質(zhì)量比為1:(91~500):(200~2000)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述PbBr2引入的Pb與Cs2CO3引入的Cs離子的摩爾比為1:(0.1~1)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述六甲基二硅氮烷與正硅酸乙酯質(zhì)量比為1:(0.1~2)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟3)中所述攪拌反應(yīng)時(shí)間為0.5~1h;步驟4)中所述二次攪拌反應(yīng)時(shí)間為1~2h。
7.權(quán)利要求1~6任一項(xiàng)所述制備方法制得的超疏水鈣鈦礦/二氧化硅復(fù)合發(fā)光薄膜。
8.權(quán)利要求7所述超疏水鈣鈦礦/二氧化硅復(fù)合發(fā)光薄膜在LED或熒光太陽(yáng)能集光器領(lǐng)域中的應(yīng)用。
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