[發明專利]一種鉿基鐵電抗重離子輻照的多層加固電容結構在審
| 申請號： | 202011456424.0 | 申請日： | 2020-12-10 |
| 公開（公告）號： | CN112599529A | 公開（公告）日： | 2021-04-02 |
| 發明（設計）人： | 黃鴻陽;李威;李建軍 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L27/11502 | 分類號： | H01L27/11502;H01L27/11507;H01L23/552 |
| 代理公司： | 電子科技大學專利中心 51203 | 代理人： | 閆樹平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 鉿基鐵 電抗 離子 輻照 多層 加固 電容 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種鉿基鐵電抗重離子輻照的多層加固電容結構，包括自上而下依次設置的頂層電極板、鉿基鐵電薄膜和底層電極板；頂層電極板與底層電極板分別設置在鉿基鐵電薄膜的上下兩側，其特征在于：
所述鉿基鐵電薄膜與頂層電極板之間還設置有上二氧化硅層；鉿基鐵電薄膜層與底層電極板之間還設置有下二氧化硅層。
2.根據權利要求1所述的鉿基鐵電抗重離子輻照的多層加固電容結構，其特征在于：所述頂層電極板和底層電極板為金屬材料錫(TiN)、鉑(Pt)和鈦(Ti)制成的電極板。
3.根據權利要求1所述的鉿基鐵電抗重離子輻照的多層加固電容結構，其特征在于：，所述鉿基鐵電薄膜為鋁(Al)、鋼(Gd)、鑭(La)、硅(Si)、鍶(Sr)、釔(Y)和鋯(Zr)參雜或不參雜的二氧化鉿(HfO2)晶體。
4.根據權利要求1所述的鉿基鐵電抗重離子輻照的多層加固電容結構，其特征在于：所述上二氧化硅層的厚度和下二氧化硅層的厚度都≥3nm，且上、下氧化硅層厚度相同。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
