[發明專利]TMR磁場傳感器在審
| 申請號： | 202011454257.6 | 申請日： | 2020-12-10 |
| 公開（公告）號： | CN112557972A | 公開（公告）日： | 2021-03-26 |
| 發明（設計）人： | 劉明;關蒙萌;黃豪;胡忠強;周子堯;朱家訓 | 申請（專利權）人： | 珠海多創科技有限公司 |
| 主分類號： | G01R33/09 | 分類號： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 廣東朗乾律師事務所 44291 | 代理人： | 楊煥軍;朱鵬 |
| 地址： | 519000 廣東省珠海市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | tmr 磁場 傳感器 | ||
1.TMR磁場傳感器，包括：基片以及設置于所述基片上的一個或多個TMR磁傳感器芯片，其特征在于：所述TMR磁傳感器芯片相對于所述基片表面傾斜設置，所述TMR磁傳感器芯片的易軸方向與待測的外磁場方向存在夾角。
2.如權利要求1所述的TMR磁場傳感器，其特征在于：所述基片上設置有從其表面向內凹陷的凹槽，所述凹槽具有用于固定所述TMR磁傳感器芯片的斜面，所述凹槽內填充覆蓋所述TMR磁傳感器芯片的塑封層。
3.如權利要求2所述的TMR磁場傳感器，其特征在于：所述凹槽的豎截面形狀為等腰三角形或等腰梯形。
4.如權利要求1所述的TMR磁場傳感器，其特征在于：所述基片上設置有第一TMR磁傳感器芯片和第二TMR磁傳感器芯片，所述第一TMR磁傳感器芯片的易軸正方向和所述第二TMR磁傳感器芯片的易軸正方向相反，所述第一TMR磁傳感器芯片和第二TMR磁傳感器芯片連接成全橋電路結構。
5.如權利要求1或4所述的TMR磁場傳感器，其特征在于：所述基片底面設置有重布線層，所述重布線層通過從所述基片底面貫穿至所述TMR磁傳感器芯片的芯片焊盤的金屬插塞與所述TMR磁傳感器芯片相連，所述重布線層的底面設置有用于TMR磁場傳感器的供電及信號輸出的傳感器外接焊盤。
6.如權利要求4所述的TMR磁場傳感器，其特征在于：所述基片上設置有從其表面向內凹陷的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽具有用于固定所述第一TMR磁傳感器芯片的第一斜面，所述第二凹槽具有用于固定所述第二TMR磁傳感器芯片的第四斜面。
7.如權利要求6所述的TMR磁場傳感器，其特征在于：所述第一斜面相對于基片表面的傾斜角度和所述第四斜面相對于基片表面的傾斜角度相同，或者所述第一斜面相對于基片表面的傾斜角度和所述第四斜面相對于基片表面的傾斜角度相差90°。
8.如權利要求1所述的TMR磁場傳感器，其特征在于：還包括覆蓋所述基片表面的金屬層。
9.如權利要求1所述的TMR磁場傳感器，其特征在于：所述基片上設置多個TMR磁傳感器芯片時，所有TMR磁傳感器芯片設置于同一高度。
10.如權利要求1所述的TMR磁場傳感器，其特征在于：TMR磁傳感器芯片工作時，感測外磁場在所述TMR磁傳感器芯片的易軸方向上的磁場分量。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于珠海多創科技有限公司，未經珠海多創科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011454257.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
