[發明專利]一種鈣鈦礦雙帶光電探測器及其制備方法

在審

• 申請號: 202011454099.4
• 申請日: 2020-12-10
• 公開（公告）號: CN112582554A
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發明（設計）人: 楊世和;王健;肖爽
• 申請（專利權）人: 北京大學深圳研究生院
• 主分類號: H01L51/48
• 分類號: H01L51/48;H01L51/42
• 代理公司: 廣州艾維專利商標代理事務所(普通合伙) 44739
• 代理人: 黃強

1.一種鈣鈦礦薄膜的制備方法，包括如下步驟：

（1）對透明導電基體進行清洗，隨后放入烘箱干燥；

（2）制備鈣鈦礦前驅體溶液，對鈣鈦礦前驅體溶液進行霧化處理；

（3）以驅動掃描的方式控制噴頭將霧化處理后的鈣鈦礦前驅體溶液均勻噴涂在加熱后的基底上，形成鈣鈦礦前驅體液膜且所述鈣鈦礦前驅體液膜在溶劑揮發后生成均勻的鈣鈦礦固體薄膜；

（4）將鈣鈦礦固體薄膜進行保溫處理，即得。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（1）中所述清洗具體為：使用去離子水、丙酮、異丙醇和乙醇依次對透明導電基底進行超聲清洗。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（2）中所述鈣鈦礦前驅體溶液制備方法為：將鈣鈦礦前驅體材料溶解在溶劑中。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，步驟（2）中所述鈣鈦礦前驅體材料選自無機鈣鈦礦或有機無機雜化鈣鈦礦、二元共混鈣鈦礦、三元共混鈣鈦礦中的一種或多種。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（3）中所述基底加熱至110-250℃。

6.根據權利要求1所述的的制備方法，其特征在于，步驟（3）噴涂過程中，所述噴頭距基底的高度為1-7 mm，掃描速度為0.2-2 cm/s。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（3）中所述掃描次數為1-100次，通過控制掃描次數以調節鈣鈦礦薄膜的厚度。

8.根據權利要求1-7任一項所述的制備方法，其特征在于，步驟（3）在進行霧化處理時包括通氮氣步驟。

9.根據權利要求1-8任一項所述制備方法制備得到的鈣鈦礦薄膜。

10.一種鈣鈦礦雙帶光電探測器，其特征在于，包括根據權利要求1-8任一項所述制備方法制備得到的鈣鈦礦薄膜或根據權利要求9所述的鈣鈦礦薄膜。