[發(fā)明專利]顯示面板及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011453909.4 | 申請日： | 2020-12-09 |
| 公開（公告）號： | CN112582574A | 公開（公告）日： | 2021-03-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張純 | 申請（專利權(quán)）人： | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32;G06F3/041 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人： | 杜蕾 |
| 地址： | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
本發(fā)明公開了一種顯示面板及其制作方法，所述顯示面板包括顯示區(qū)以及鄰接于所述顯示區(qū)的非顯示區(qū)；且所述顯示面板還包括：基底；陰極層，設(shè)置于所述基底上，所述陰極層對應(yīng)所述非顯示區(qū)形成有圖案化結(jié)構(gòu)；以及觸控層，設(shè)置于所述陰極層上，所述觸控層包括具有網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的觸控電極，且對應(yīng)所述非顯示區(qū)，所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)在所述陰極層上的投影與所述圖案化結(jié)構(gòu)重合或部分重合；相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明降低了觸控電極與陰極層之間產(chǎn)生的寄生電容，降低了電噪聲，提高了信噪比，改善了顯示面板的觸控功能，并提高了顯示面板的彎折性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示面板及其制作方法。
背景技術(shù)
隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，有機發(fā)光二極管(Original Light Emitting Diode，OLED)顯示面板由于具備自發(fā)光、不需要背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、畫質(zhì)均勻、反應(yīng)速度快等優(yōu)點被越來越多地使用，當(dāng)OLED顯示面板應(yīng)用在觸控裝置中時，通常在OLED顯示面板封裝之后，再將觸控層制備于OLED顯示面板的封裝結(jié)構(gòu)之上。
目前，在OLED顯示面板中，觸控層中的觸控電極與陰極層具有疊加重合的部分，易產(chǎn)生相對電容或寄生電容，進(jìn)而導(dǎo)致電噪聲過大，影響OLED顯示面板的觸控功能和顯示效果。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供一種顯示面板及其制作方法，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中，由于顯示面板中觸控電極與陰極層疊加重合，易產(chǎn)生相對電容或寄生電容，導(dǎo)致電噪聲過大，進(jìn)而影響顯示面板的觸控功能和顯示效果的技術(shù)問題。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供一種顯示面板，所述顯示面板包括顯示區(qū)以及鄰接于所述顯示區(qū)的非顯示區(qū)；
所述顯示面板還包括：
基底；
陰極層，設(shè)置于所述基底上，所述陰極層對應(yīng)所述非顯示區(qū)形成有圖案化結(jié)構(gòu)；以及
觸控層，設(shè)置于所述陰極層上，所述觸控層包括具有網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的觸控電極，且對應(yīng)所述非顯示區(qū)，所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)在所述陰極層上的投影與所述圖案化結(jié)構(gòu)重合或部分重合。
在本發(fā)明的一種實施例中，所述圖案化結(jié)構(gòu)包括貫穿所述陰極層的槽體。
在本發(fā)明的一種實施例中，所述顯示面板還包括設(shè)置于所述基底與所述陰極層之間的發(fā)光功能層，其中，所述發(fā)光功能層包括多個像素區(qū)，所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)在所述發(fā)光功能層上的投影圍繞或部分圍繞所述多個像素區(qū)。
在本發(fā)明的一種實施例中，所述顯示面板還包括設(shè)置于所述陰極層上的封裝層，所述觸控層包括依次設(shè)置于所述封裝層上的第一金屬層、絕緣層以及第二金屬層，且所述觸控電極包括位于所述第一金屬層或所述第二金屬層中的多個第一電極以及多個第二電極。
在本發(fā)明的一種實施例中，所述第二金屬層包括所述多個第一電極、所述多個第二電極以及位于所述多個第一電極中相鄰兩者之間的第一連接部，其中，所述多個第一電極中相鄰兩者通過所述第一連接部進(jìn)行電性連接；
所述第一金屬層包括對應(yīng)位于所述多個第二電極中相鄰兩者之間的第二連接部，其中，所述多個第二電極中相鄰兩者皆通過貫穿所述絕緣層的過孔與所述第二連接部搭接。
在本發(fā)明的一種實施例中，所述第一金屬層包括所述多個第一電極、所述多個第二電極以及位于所述多個第一電極中相鄰兩者之間的第一連接部，其中，所述多個第一電極中相鄰兩者通過所述第一連接部進(jìn)行電性連接；
所述第二金屬層包括對應(yīng)位于所述多個第二電極中相鄰兩者之間的第二連接部，其中，所述第二連接部通過貫穿所述絕緣層的過孔分別與所述多個第二電極中相鄰兩者搭接。
在本發(fā)明的一種實施例中，所述第一連接部在所述基底上的投影與所述第二連接部在所述基底上的投影相交。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
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H01L51-54 .. 材料選擇
