[發(fā)明專利]外延設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011453551.5
• 申請(qǐng)日: 2020-12-11
• 公開（公告）號(hào): CN112575314B
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙萬輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/455
• 分類號(hào): C23C16/455
• 代理公司: 北京潤(rùn)澤恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種外延設(shè)備。外延設(shè)備包括基座環(huán)、上頂蓋和下頂蓋；基座環(huán)包括相背的第一面和第二面，上頂蓋和下頂蓋分別與第一面和第二面密封連接，上頂蓋與下頂蓋形成封閉空間，封閉空間中設(shè)置有基座，基座用于放置基片；基座環(huán)上設(shè)置有進(jìn)氣口和出氣口，且封閉空間中設(shè)置有隔擋件，隔擋件為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，用于遮擋基座環(huán)，隔擋件與上頂蓋之間存在間隙，隔擋件上設(shè)置有進(jìn)氣道和出氣道，進(jìn)氣道與進(jìn)氣口連通，出氣道和出氣口連通；上頂蓋包括頂蓋和上凸緣，頂蓋與上凸緣連接，上凸緣與第一面密封連接，且上凸緣上設(shè)置有清潔氣體容納殼，清潔氣體容納殼與清潔氣體儲(chǔ)氣件連接，上凸緣上開設(shè)有氣體通道，清潔氣體容納殼與間隙通過氣體通道連通。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種外延設(shè)備。

背景技術(shù)

相關(guān)技術(shù)中，外延設(shè)備包括基座環(huán)、上頂蓋和下頂蓋，上頂蓋和下頂蓋分別與基座環(huán)相背的兩個(gè)表面密封連接，上頂蓋和下頂蓋形成封閉空間，封閉空間中設(shè)置有基座，基座用于放置基片，封閉空間中還設(shè)置有隔擋件，隔擋件與上頂蓋之間存在間隙?；h(huán)上設(shè)置有進(jìn)氣口和出氣口，隔擋件上設(shè)置有進(jìn)氣道和出氣道。在使用外延設(shè)備加工基片時(shí)，將基片放置在基座上，通過進(jìn)氣口通入反應(yīng)氣體，反應(yīng)氣體通過進(jìn)氣道進(jìn)入封閉空間，之后反應(yīng)氣體與基片反應(yīng)，之后反應(yīng)氣體從出氣道流出，并最終從出氣口流出封閉空間。

在實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)相關(guān)技術(shù)中至少存在如下問題：在反應(yīng)氣體進(jìn)入封閉空間之后，反應(yīng)氣體會(huì)流入隔擋件與上頂蓋之間的間隙，使得工藝過程中沉積物會(huì)在這個(gè)間隙中不斷積累，當(dāng)沉積物累積到一定厚度時(shí)會(huì)發(fā)生起皮脫落從而形成顆粒，而顆粒會(huì)影響基片的性能，導(dǎo)致良率降低。

申請(qǐng)內(nèi)容

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種外延設(shè)備，能夠解決相關(guān)技術(shù)中隔擋件與上頂蓋之間的間隙會(huì)導(dǎo)致顆粒產(chǎn)生的問題。

為了解決上述技術(shù)問題，本申請(qǐng)是這樣實(shí)現(xiàn)的：

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種外延設(shè)備，所述外延設(shè)備包括基座環(huán)、上頂蓋和下頂蓋；

所述基座環(huán)包括相背的第一面和第二面，所述上頂蓋和所述下頂蓋分別與所述第一面和所述第二面密封連接，所述上頂蓋與所述下頂蓋形成封閉空間，所述封閉空間中設(shè)置有基座，所述基座用于放置基片；

所述基座環(huán)上設(shè)置有進(jìn)氣口和出氣口，且所述封閉空間中設(shè)置有隔擋件，所述隔擋件為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，用于遮擋所述基座環(huán)，所述隔擋件與所述上頂蓋之間存在間隙，所述隔擋件上設(shè)置有進(jìn)氣道和出氣道，所述進(jìn)氣道與所述進(jìn)氣口連通，所述出氣道和所述出氣口連通；

所述上頂蓋包括頂蓋和上凸緣，所述頂蓋與所述上凸緣連接，所述上凸緣與所述第一面密封連接，且所述上凸緣上設(shè)置有清潔氣體容納殼，所述清潔氣體容納殼與清潔氣體儲(chǔ)氣件連接，所述上凸緣上開設(shè)有氣體通道，所述清潔氣體容納殼與所述間隙通過所述氣體通道連通。

可選地，所述外延設(shè)備還包括連接管，所述清潔氣體容納殼上設(shè)置有進(jìn)氣端，所述連接管的一端與所述進(jìn)氣端連接，所述連接管的另一端與所述清潔氣體儲(chǔ)氣件連接。

可選地，所述連接管上設(shè)置有壓力計(jì)和調(diào)壓閥，所述壓力計(jì)用于檢測(cè)流入所述清潔氣體容納殼的清潔氣體的壓力，所述調(diào)壓閥用于調(diào)整流入所述清潔氣體容納殼的清潔氣體的壓力。

可選地，所述連接管上設(shè)置有流量計(jì)，所述流量計(jì)用于檢測(cè)并調(diào)整流入所述清潔氣體容納殼的清潔氣體的流量。

可選地，所述上凸緣為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述清潔氣體容納殼為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述清潔氣體容納殼上開設(shè)有凹槽，所述凹槽的槽壁與所述上凸緣密封連接，所述凹槽形成容納腔，所述容納腔與所述間隙通過所述氣體通道連通。

可選地，所述凹槽的槽壁與所述上凸緣之間設(shè)置有密封圈，所述凹槽的槽壁與所述上凸緣通過所述密封圈密封連接。

可選地，所述上凸緣上開設(shè)有多個(gè)所述氣體通道，多個(gè)所述氣體通道沿所述上凸緣的周向均勻分布。