[發(fā)明專利]晶圓劃片方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011452323.6
• 申請日: 2020-12-10
• 公開（公告）號: CN114628250A
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙長林;胡勝;郭萬里
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/78
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種晶圓劃片方法，其特征在于，包括：

提供一晶圓，所述晶圓包括襯底、位于所述襯底上的介質(zhì)層和嵌設(shè)于所述介質(zhì)層中的金屬層；

執(zhí)行第一次切割，沿所述晶圓的厚度方向切割所述介質(zhì)層停在所述襯底靠近所述金屬層的一側(cè)表面，切割處形成第一溝槽；

在所述襯底遠離所述金屬層的一側(cè)表面上形成混合鍵合結(jié)構(gòu)；

執(zhí)行第二次切割，沿所述晶圓的厚度方向至少切割所述混合鍵合結(jié)構(gòu)停在所述襯底遠離所述金屬層的一側(cè)表面，切割處形成第二溝槽；所述第二溝槽和所述第一溝槽在所述襯底上的投影相同；

形成位于所述混合鍵合結(jié)構(gòu)上的圖形化的光阻層，所述圖形化的光阻層具有開口，所述開口與所述第二溝槽在所述襯底上的投影相同；

以所述圖形化的光阻層為掩膜，貫穿被所述開口和所述第二溝槽暴露出的所述襯底，將所述第二溝槽與所述第一溝槽連通。

2.如權(quán)利要求1所述的晶圓劃片方法，其特征在于，執(zhí)行第一次切割之后，形成所述混合鍵合結(jié)構(gòu)之前還包括：

將所述晶圓第一次切割的一側(cè)與載片晶圓采用鍵合膠鍵合，所述鍵合膠填充所述第一溝槽。

3.如權(quán)利要求1所述的晶圓劃片方法，其特征在于，形成所述混合鍵合結(jié)構(gòu)之前還包括：

對所述襯底遠離所述金屬層的一側(cè)表面進行減薄。

4.如權(quán)利要求3所述的晶圓劃片方法，其特征在于，對所述襯底減薄之后，形成所述混合鍵合結(jié)構(gòu)之前，包括：

形成絕緣層，所述絕緣層位于減薄后的所述襯底表面上；

形成硅通孔，所述硅通孔貫穿所述絕緣層、所述襯底和部分厚度的所述介質(zhì)層暴露出所述金屬層；

形成互連層，所述互連層填充所述硅通孔并與所述金屬層電連接。

5.如權(quán)利要求4所述的晶圓劃片方法，其特征在于，形成所述互連層之后，還包括：

形成再分布層，所述再分布層覆蓋所述絕緣層和所述互連層，所述再分布層包括再分布介質(zhì)層和嵌設(shè)于所述再分布介質(zhì)層中的再分布金屬層，所述再分布金屬層與所述互連層電連接。

6.如權(quán)利要求4或5所述的晶圓劃片方法，其特征在于，形成所述混合鍵合結(jié)構(gòu)包括：

形成鍵合介質(zhì)層，所述鍵合介質(zhì)層覆蓋所述絕緣層或所述再分布層；在所述鍵合介質(zhì)層中開孔，并在所述開孔中填充鍵合金屬層，所述鍵合金屬層與所述互連層或所述再分布金屬層電連接；所述鍵合介質(zhì)層和所述鍵合金屬層構(gòu)成所述混合鍵合結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求1至6任意一項所述的晶圓劃片方法，其特征在于，所述第一次切割和所述第二次切割均采用激光切割或等離子體切割。

8.如權(quán)利要求1至6任意一項所述的晶圓劃片方法，其特征在于，以所述圖形化的光阻層為掩膜，貫穿被所述開口和所述第二溝槽暴露出的所述襯底，采用干法刻蝕的方式或者等離子體切割的方式。

9.如權(quán)利要求1至6任意一項所述的晶圓劃片方法，其特征在于，所述介質(zhì)層中還嵌設(shè)有焊盤，所述焊盤與所述金屬層電連接，所述介質(zhì)層上形成有鈍化層，所述鈍化層暴露出所述焊盤。

10.如權(quán)利要求5所述的晶圓劃片方法，其特征在于，所述鍵合介質(zhì)層和所述鍵合金屬層的頂面作為混合鍵合界面。