[發(fā)明專利]一種壓接型IGBT芯片動(dòng)態(tài)特性實(shí)驗(yàn)平臺(tái)及測量方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011452092.9
• 申請(qǐng)日: 2020-12-10
• 公開（公告）號(hào): CN112630615B
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彭程;詹雍凡;范迦羽;李學(xué)寶;趙志斌;崔翔;馬慧遠(yuǎn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華北電力大學(xué);國網(wǎng)北京市電力公司
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26
• 代理公司: 北京高沃律師事務(wù)所 11569
• 代理人: 王愛濤

1.一種壓接型IGBT芯片動(dòng)態(tài)特性實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，其特征在于，包括：壓力夾具，施壓裝置，壓力傳感器，壓力均衡裝置，第一環(huán)氧樹脂板，第二環(huán)氧樹脂板，壓接型IGBT芯片，加熱板，碟簧，疊層母排，母線電容，負(fù)載電感，續(xù)流二極管，直流電壓源，驅(qū)動(dòng)脈沖生成器，電流測量裝置和電壓測量裝置；

所述母線電容的一端與所述直流電壓源的正極連接，所述母線電容的另一端與所述直流電壓源的負(fù)極連接；所述疊層母排的一端連接所述直流電壓源的正極，所述疊層母排的另一端連接所述續(xù)流二極管的陰極；所述續(xù)流二極管的陽極連接所述壓接型IGBT芯片的發(fā)射極；所述負(fù)載電感的一端連接所述續(xù)流二極管的陽極，所述負(fù)載電感的另一端連接所述續(xù)流二極管的陰極；所述驅(qū)動(dòng)脈沖生成器的正極連接所述壓接型IGBT芯片的柵極，所述驅(qū)動(dòng)脈沖生成器的負(fù)極連接所述壓接型IGBT芯片的發(fā)射極；所述壓接型IGBT芯片的發(fā)射極連接直流電壓源的負(fù)極；所述電流測量裝置的電流探頭套裝在所述壓接型IGBT芯片上；所述電壓測量裝置的正極電壓探頭連接壓接型IGBT芯片的集電極極板，所述電壓測量裝置的負(fù)極電壓探頭連接所述壓接型IGBT芯片的發(fā)射極極板；

所述第一環(huán)氧樹脂板疊放于碟簧之上；所述加熱板疊放于第一環(huán)氧樹脂板上；所述壓接型IGBT芯片疊放于加熱板上；所述第二環(huán)氧樹脂板疊放于壓接型IGBT芯片上；所述壓力均衡裝置疊放于第二環(huán)氧樹脂板上；所述壓力傳感器疊放于壓力均衡裝置上；所述施壓裝置疊放于壓力傳感器上；所述壓力夾具用于固定所述碟簧、第一環(huán)氧樹脂板、加熱板、第二環(huán)氧樹脂板、壓力均衡裝置、壓力傳感器和施壓裝置所組成的疊層結(jié)構(gòu)；

所述電流測量裝置的電流探頭采用羅氏線圈，套裝在所述壓接型IGBT芯片發(fā)射極極板和集電極極板之間，羅氏線圈利用電磁感應(yīng)定理測出流過線圈中間的電流，是感應(yīng)式的。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓接型IGBT芯片動(dòng)態(tài)特性實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，其特征在于，所述疊層母排的寄生電感為45.60納亨。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓接型IGBT芯片動(dòng)態(tài)特性實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，其特征在于，所述壓力均衡裝置包括第一帶槽鋼板、第二帶槽鋼板和鋼珠，所述鋼珠位于第一帶槽鋼板和第二帶槽鋼板之間，所述第一帶槽鋼板和第二帶槽鋼板中心有圓形凹槽，用于盛放所述鋼珠，所述第一帶槽鋼板與第二帶槽鋼板不接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓接型IGBT芯片動(dòng)態(tài)特性實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，其特征在于，所述壓力夾具包括多個(gè)固定柱、第一開孔鋼板、第二開孔鋼板，所述多個(gè)固定柱的上端穿過所述第一開孔鋼板，下端穿過所述第二開孔鋼板，所述多個(gè)固定柱、第一開孔鋼板、第二開孔鋼板通過螺栓固定。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓接型IGBT芯片動(dòng)態(tài)特性實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，其特征在于，所述施壓裝置包括第一開孔鋼板中央的帶螺紋通孔、螺紋通孔中間旋入的粗螺絲和施壓底座構(gòu)成；其中的粗螺絲是能夠旋轉(zhuǎn)從而上下移動(dòng)，給其下方的串聯(lián)結(jié)構(gòu)施加壓力。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓接型IGBT芯片動(dòng)態(tài)特性實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，其特征在于，所述電流測量裝置的電流探頭采用羅氏線圈，套裝在所述壓接型IGBT芯片上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓接型IGBT芯片動(dòng)態(tài)特性實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，其特征在于，所述電壓測量裝置的電壓探頭與所述壓接型IGBT芯片采用四端子接線法連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓接型IGBT芯片動(dòng)態(tài)特性實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，其特征在于，所述第一環(huán)氧樹脂板和第二環(huán)氧樹脂板厚度為3mm。